特許
J-GLOBAL ID：201303076836523649
両面鏡面シリコンウェーハの研磨方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-124060
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175796
出願日： 2013年06月12日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：
【課題】シリコンウェーハの表面形状の高品質化が図れ、これにより電子回路のさらなる微細化を可能とした両面鏡面シリコンウェーハの研磨方法を提供する。【解決手段】シリコンウェーハの研磨として、毎回の研磨条件を変更して行われ、かつ両面研磨装置を使用する3段研磨を採用した。しかも、3段研磨には、1次研磨がサンギヤ式両面研磨で、2次研磨および仕上げ研磨が、キャリアプレートの表面と平行な面内でこのキャリアプレートに自転を伴わない円運動を行わせる無サンギヤ式の両面研磨とした。これにより、シリコンウェーハの表面形状の高品質化が図れ、しかも電子回路のさらなる微細化が可能になる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハの露出面に研磨布を押し付け、研磨剤を供給しながら、前記シリコンウェーハと前記研磨布とを相対的に摺動させ、前記露出面を研磨する両面鏡面シリコンウェーハの研磨方法であって、
前記シリコンウェーハの露出面の研磨は、研磨条件を変更して1次研磨、2次研磨、仕上げ研磨と連続して行われる3段研磨で、
前記1次研磨が、複数のキャリアプレートにそれぞれ形成された複数のウェーハ保持孔内に複数の前記シリコンウェーハを保持し、前記研磨剤を供給しながら、各対向面に研磨布が貼着された上定盤および下定盤を前記複数のシリコンウェーハの表裏両面に押し付け、前記キャリアプレートをサンギヤとインターナルギヤとの間で自転公転させることで、前記複数のシリコンウェーハの表裏両面を同時に研磨するサンギヤ式両面研磨で、
前記2次研磨および仕上げ研磨が、キャリアプレートに形成されたウェーハ保持孔内に前記シリコンウェーハを保持し、前記研磨剤を供給しながら、前記研磨布が貼着された上定盤と前記研磨布が貼着された下定盤との間で、前記キャリアプレートの表面と平行な面内でこのキャリアプレートに自転を伴わない円運動を行わせる無サンギヤ式の両面研磨である両面鏡面シリコンウェーハの研磨方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F057AA03
, 5F057BA12
, 5F057BB03
, 5F057CA19
, 5F057DA03
, 5F057DA08
