半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-151630
公開番号（公開出願番号）：特開2013-236099
出願日： 2013年07月22日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：

【課題】TFTに適したSOI基板およびその作製方法を提供する。またSOI基板を用いて信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。【解決手段】SIMOX、ELTRAN、Smart-Cutに代表される技術を用いてSOI基板を作製するにあたって、主表面(結晶面)が{110}面である単結晶半導体基板を用いる。その様なSOI基板は下地となる埋め込み絶縁層と単結晶シリコン層との密着性が高く、信頼性の高い半導体装置を実現することが可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板上に酸化シリコン膜を形成し、前記酸化シリコン膜を介して前記単結晶シリコン基板に水素を添加し、前記酸化シリコン膜を間に挟んで、前記単結晶シリコン基板と、支持基板とを接合し、前記酸化シリコン膜を間に挟んで単結晶シリコン層が前記支持基板上に残るように、熱処理によって前記単結晶シリコン基板を分断し、前記単結晶シリコン層を用いて、島状シリコン層を形成し、前記島状シリコン層上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート配線を形成し、エッチングストッパーと、前記エッチングストッパーを挟んで前記ゲート配線の側面にサイドウォールとを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/20 , H01L 21/265

FI (7件)：

H01L29/78 617A , H01L29/78 621 , H01L27/12 B , H01L21/20 , H01L21/265 Q , H01L29/78 626C , H01L29/78 616A

Fターム (51件)：

5F110AA19 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE31 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG17 , 5F110HJ04 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK40 , 5F110HL03 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F110QQ11 , 5F110QQ17 , 5F110QQ24 , 5F152LM09 , 5F152LP01 , 5F152LP07 , 5F152MM04 , 5F152MM19 , 5F152NN03 , 5F152NN05 , 5F152NN12 , 5F152NN14 , 5F152NN16 , 5F152NP13 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04

引用特許：

審査官引用 (5件)

張り合わせSOI基板、その作製方法及びそれに形成されたMOSトランジスター
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-275903 出願人：ソニー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-159996 出願人：株式会社東芝
アクティブマトリクス回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-154177 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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