特許
J-GLOBAL ID：201303077910933877

パターン形成方法及びレジスト組成物

発明者：
小林 知洋

小林 知洋 について

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畠山 潤

畠山 潤 について

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飯尾 匡史

飯尾 匡史 について

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須賀 祐輝

須賀 祐輝 について

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長谷川 幸士

長谷川 幸士 について

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原田 裕次

原田 裕次 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-196667
公開番号（公開出願番号）：特開2013-057836
出願日： 2011年09月09日
公開日（公表日）： 2013年03月28日
要約：
【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、光酸発生剤と、有機溶剤と、フッ素原子を有する繰り返し単位を含有し、かつ水酸基を含有しない高分子添加剤とを含み、高分子添加剤の含有量が全高分子化合物の含有量に対して1〜30質量%であるレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。【効果】本発明のレジスト組成物は、液浸露光可能な高い後退接触角を示すと共に、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を示し、ラインパターン側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物[A]と、光酸発生剤[B]と、有機溶剤[C]と、フッ素原子を1つ以上有する繰り返し単位を含有し、かつ水酸基を含有しない高分子添加剤[D]とを共に含み、前記高分子添加剤[D]の含有量が全高分子化合物の含有量に対して1質量%以上30質量%以下であるレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。
IPC (6件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/038 ,  C08F 20/10 ,  H01L 21/027
FI (6件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/32 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/038 601 ,  C08F20/10 ,  H01L21/30 502R
Fターム (95件)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA11 ,  2H096DA01 ,  2H096EA05 ,  2H096EA30 ,  2H096FA01 ,  2H096GA03 ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF29P ,  2H125AF34P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF41P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH11 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ63X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AM22P ,  2H125AM23P ,  2H125AM27P ,  2H125AM30P ,  2H125AM43P ,  2H125AM66P ,  2H125AM94P ,  2H125AM99P ,  2H125AN30P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN51P ,  2H125AN54P ,  2H125AN65P ,  2H125AN86P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  4J100AJ02S ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02R ,  4J100BA02S ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA11S ,  4J100BA15R ,  4J100BA20Q ,  4J100BA20R ,  4J100BA40S ,  4J100BA58P ,  4J100BC04P ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC08R ,  4J100BC08S ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC12R ,  4J100BC53R ,  4J100BC58Q ,  4J100CA03 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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