特許

J-GLOBAL ID：201303078073281790

パターン形成方法及びレジスト組成物

発明者： 畠山 潤 ,  小林 知洋
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-116109
公開番号（公開出願番号）：特開2013-011866
出願日： 2012年05月22日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
要約：

【解決手段】酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位及び/又は酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位とオキシラン環又はオキセタン環を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。【効果】本発明によるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位及び/又は酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位とオキシラン環又はオキセタン環を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6件)：

G03F 7/038 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  C08F 220/26 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/038 601 ,  G03F7/32 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 503A ,  C08F220/26 ,  H01L21/30 502R

Fターム (78件)：

2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA01 ,  2H096DA10 ,  2H096EA05 ,  2H096EA12 ,  2H096FA01 ,  2H096GA03 ,  2H096GA08 ,  2H096GA18 ,  2H096HA01 ,  2H125AE13P ,  2H125AE18P ,  2H125AF17P ,  2H125AF34P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF41P ,  2H125AF43P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH13 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ25X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ83X ,  2H125AK21 ,  2H125AK29 ,  2H125AK30 ,  2H125AL03 ,  2H125AM22P ,  2H125AM91P ,  2H125AM94P ,  2H125AM99P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA22P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA01 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC07P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100BC54R ,  4J100CA03 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-217965   出願人：富士フイルム株式会社
• パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-034023   出願人：富士フイルム株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-030281   出願人：信越化学工業株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-030224   出願人：信越化学工業株式会社
• パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-285584   出願人：富士フイルム株式会社
• 有機溶剤を含有する現像液を用いたパターン形成方法及びこれに用いるリンス液
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-269342   出願人：富士フイルム株式会社