特許
J-GLOBAL ID：201303078126418733

気泡率演算方法及び気泡率演算装置

発明者：
吉田 航也

吉田 航也 について

, 
中井 基生

中井 基生 について


出願人/特許権者：
株式会社ジェイテクト

株式会社ジェイテクト について


代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-076300
公開番号（公開出願番号）：特開2013-130590
出願日： 2013年04月01日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：
【課題】半導体素子と放熱基板との接合領域に存在する気泡の有無を正確に検出して、接合領域全体の正確な気泡率を求めることができる気泡率演算方法及び気泡率演算装置を提供する。【解決手段】半導体素子と放熱基板の一面とが接合されている接合領域の状態を示す領域画像を、半導体素子が接合されていない放熱基板の各部の材質及び厚さに応じたX線透過率、及び、半導体素子が接合されていない放熱基板の一面に向けてX線を照射して放熱基板を撮影してなる多値のX線画像の各画素値に基づいて補正することによって、放熱基板の各部の材質及び厚さの影響を除去した補正後領域画像を生成し(S74)、補正後領域画像を2値化して2値画像を生成し(S75)、生成した2値画像に基づいて、接合領域に位置する気泡の有無を検出し(S76)、検出した気泡の画素数の接合領域の画素数に対する割合を、接合領域全体の気泡率として算出する(S77)。【選択図】図28
請求項（抜粋）：
半導体素子と内面がメッキされた穴が形成されている放熱基板の一面とを接合してなる半導体装置の接合領域を、前記一面に向けてX線を照射して撮影してなる多値画像を用いて、前記接合領域に存在する気泡の前記接合領域に対する割合を演算する気泡率演算方法において、 半導体素子が接合されていない放熱基板の各部の材質及び厚さに応じたX線吸収率又は透過率、及び、前記放熱基板の一面に向けてX線を照射して前記放熱基板を撮影してなる多値のX線画像の各画素値に基づいて、前記材質及び厚さの影響を除去すべく前記多値画像の各画素値を補正し、 補正した多値画像を2値化して2値画像を生成し、 生成した2値画像に基づいて、前記接合領域に位置する気泡の有無を検出し、 検出した気泡の画素数の前記接合領域の画素数に対する割合を、接合領域全体の気泡率として算出することを特徴とする気泡率演算方法。
IPC (1件)：
G01N 23/04
FI (1件)：
G01N23/04
Fターム (11件)：
2G001AA01 ,  2G001BA11 ,  2G001CA01 ,  2G001FA06 ,  2G001GA06 ,  2G001HA07 ,  2G001HA13 ,  2G001JA13 ,  2G001KA04 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05
引用特許：
出願人引用 (3件)

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