特許
J-GLOBAL ID：201303078356065465
窒化物系半導体ウェハ、窒化物系半導体レーザ素子および窒化物系半導体レーザ素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
佐野 静夫
, 井上 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-267311
公開番号（公開出願番号）：特開2013-051445
出願日： 2012年12月06日
公開日（公表日）： 2013年03月14日
要約：
【課題】信頼性の低下を抑制しながら、低コスト化に対応することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】窒化物系半導体レーザ素子は、n型GaN基板301と、n型GaN基板301上に形成された窒化物半導体層20と、窒化物半導体層20に形成され、所定方向に延びる導波路30と、導波路30と平行な一対の側端面と、窒化物半導体層20上に形成され、導波路30に電流を供給するためのp側パッド電極13と、窒化物系半導体レーザ素子の種類を判別するためのマーカ部320、330と、を備える。【選択図】図31
請求項（抜粋）：
窒化物系半導体レーザ素子であって、
導波路形成が困難な第1領域を有する窒化物半導体基板と、
前記窒化物半導体基板の主面上に形成され、前記第1領域の影響を受けた第2領域と前記第1領域の周辺の領域の影響を受けた導波路形成に適さない第3領域とからなる第4領域を含む窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層に形成され、所定方向に延びる導波路と、
前記導波路と平行な一対の側端面と、
前記窒化物半導体層上に形成され、前記導波路に電流を供給するための電極層と、
前記窒化物系半導体レーザ素子の種類を判別するマーカ部と、
を備え、
前記第4領域は、一方の前記側端面側に配されているとともに、前記導波路と直交する方向において、前記窒化物半導体基板の幅の半分以上の大きさの幅を有しており、
前記導波路は、前記一方の側端面とは反対側の他方の前記側端面側に配設されることによって、前記窒化物半導体層の第4領域とは異なる第5領域に形成され、
前記マーカ部は、前記窒化物半導体層に設けられていることを特徴とする、窒化物系半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F173AA05
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP23
, 5F173AP33
, 5F173AR82
, 5F173AR94
