半導体レーザ素子とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-245543
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066523
出願日： 2004年08月25日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：

【課題】窓領域を正確に形成することができる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、半導体基板1上に半導体多層膜3を備えると共に光出射端部に窓領域5を備える半導体レーザ素子において、半導体多層膜3上の窓領域5近傍にマーカ部4を備えることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に半導体多層膜を備えると共に光出射端部に窓領域を備える半導体レーザ素子において、半導体多層膜上の窓領域近傍にマーカ部を備えることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (1件)：

H01S 5/16

FI (1件)：

H01S5/16

Fターム (5件)：

5F173AA08 , 5F173AB73 , 5F173AB74 , 5F173AP81 , 5F173AR92

引用特許：

審査官引用 (6件)

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