窒化物半導体レーザ素子とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-069350
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250650
出願日： 2006年03月14日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】小さな幅の窒化物半導体レーザ素子を対象に自動チップ検査機や自動マウント装置で処理する際に、特定チップのみを画像認識で容易に自動判別することを可能にする。【解決手段】窒化物半導体レーザ素子の製造方法は、導電性基板の主面上に順に積層された第1導電型半導体層、活性層、第2導電型半導体層、および第2導電型用電極パッド(104)を含みかつその活性層に平行な複数のストライプ状導波路構造(103)を含むウエハを形成する工程と、そのウエハから第1型のレーザ素子チップ(ア)と第2型のレーザ素子チップ(イ)を切り出す工程と、それら第1型と第2型のレーザ素子チップを自動画像認識により識別する工程とを含み、第1型と第2型のレーザ素子チップはそれらの幅方向に関してストライプ状導波路構造の位置が互いに異なっており、かつ基板主面の面積に対する第2導電型用電極パッドの面積比が互いに異なっている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性基板の一主面上に順に積層された第1導電型窒化物半導体層、窒化物半導体の活性層、第2導電型窒化物半導体層、および第2導電型用電極パッドを含みかつ前記活性層に平行な複数のストライプ状導波路構造を含むウエハを形成する工程と、前記ウエハから第1型の窒化物半導体レーザ素子チップと第2型の窒化物半導体レーザ素子チップを切り出す工程と、前記第1型レーザ素子チップと前記第2型レーザ素子チップを自動画像認識により識別する工程とを含み、前記第1型レーザ素子チップと第2型レーザ素子チップとは、それらチップの幅方向に関して前記ストライプ状導波路構造の位置が互いに異なっており、かつ前記基板の前記一主面の面積に対する前記第2導電型用電極パッドの面積比が互いに異なっていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 5/343 , H01S 5/042

FI (2件)：

H01S5/343 610 , H01S5/042 612

Fターム (10件)：

5F173AA05 , 5F173AG01 , 5F173AG12 , 5F173AH22 , 5F173AK23 , 5F173AP92 , 5F173ZM03 , 5F173ZP20 , 5F173ZQ05 , 5F173ZR02

引用特許：

出願人引用 (11件)

窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-153621 出願人：シャープ株式会社, 住友電気工業株式会社
特開平3-016111
特開平3-225888

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審査官引用 (7件)

特開平3-016111
特開平3-225888
特開昭60-018928

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