特許
J-GLOBAL ID：201303078877457602
単結晶製造装置、SiC単結晶、ウェハ、及び、半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
畠山 文夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-289362
公開番号（公開出願番号）：特開2013-136494
出願日： 2011年12月28日
公開日（公表日）： 2013年07月11日
要約：
【課題】成長結晶の品質を低下させることなく、種結晶と蓋(台座)の熱膨張係数差に起因する熱応力を軽減することが可能な単結晶製造装置を提供すること。【解決手段】SiC原料を保持するための本体部の開口部を、放熱孔22aを備えた上蓋20aで覆う。SiC種結晶50aと上蓋20aとの間に筒状の台座30aを介在させ、SiC種結晶50aの成長面の全部が本体部の内側に露出し、かつ、SiC種結晶50aの裏面の全部又は一部が放熱孔22aを介して本体部の外側に開放されるように、台座30aにSiC種結晶50aを接触させる。さらに、可動機構(摺動機構)40aを用いて、SiC種結晶50aを上蓋20a又は台座30aに対してスライドさせることにより、SiC種結晶50aと上蓋20a又は台座30aとの間の熱膨張係数差に起因する熱応力の発生を抑制する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
種結晶表面に単結晶を気相成長させるための原料を保持し、又は、外部から供給される原料ガスを保持するための本体部と、
前記本体部の開口部を覆うための上蓋と、
前記種結晶と前記上蓋との間に設けられ、少なくとも前記種結晶の成長面の全部が前記本体部の内側に露出するように前記種結晶を保持可能な台座と、
前記種結晶と前記上蓋又は前記台座との間の熱膨張係数差に起因する熱応力の発生を抑制する可動機構と
を備え、
前記可動機構は、前記種結晶と前記上蓋とを相対的に移動させる機構である
単結晶製造装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA18
, 4G077ED02
, 4G077ED06
, 4G077EG11
, 4G077EG25
, 4G077HA06
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4G077SA12
