特許
J-GLOBAL ID：200903072260164143

SiC単結晶の製造方法

発明者：
郡司島 造

郡司島 造 について

, 
中村 大輔

中村 大輔 について

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近藤 宏行

近藤 宏行 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について

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株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (2件)： 高橋 祥泰 ,  岩倉 民芳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-425643
公開番号（公開出願番号）：特開2005-179155
出願日： 2003年12月22日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】大口径及び長尺の、高品質なSiC単結晶を短時間で製造できるSiC単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】成長容器4内にSiC種結晶3を配置し、その成長面35上にバルク状のSiC単結晶を成長させて、SiC単結晶を製造する方法である。成長容器4としては、SiC原料が供給される本体部41とその上部に配置される上蓋42とを有し、該上蓋42に上記成長容器4の外部に向けて凹んだ種収容部425を形成したものを用いる。上記SiC種結晶3を、その上記成長面35とSiC原料の発生源43とが対向するよう上記種収容部425に埋め込み、成長面35と反対側の裏面36を上記上蓋42の内表面421から上記SiC原料の発生源43と離れる方向に後退させて配置する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
成長容器内にSiC種結晶を配置し、該SiC種結晶の成長面上にバルク状のSiC単結晶を成長させて、SiC単結晶を製造する方法において、 上記成長容器としては、SiC原料が供給される本体部とその上部に配置される上蓋とを有し、該上蓋に上記成長容器の外部に向けて凹んだ種収容部を形成したものを用い、 上記SiC種結晶としては、成長方向に20mm以上の厚さを有するものを用い、該SiC種結晶を、その上記成長面とSiC原料の発生源とが対向するよう上記種収容部に埋め込み、上記成長面と反対側の裏面を上記上蓋の内表面から上記SiC原料の発生源と離れる方向に後退させて配置することを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (1件)：
C30B29/36
FI (1件)：
C30B29/36 A
Fターム (13件)：
4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077ED01 ,  4G077ED02 ,  4G077EG11 ,  4G077EG12 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA08 ,  4G077SA12
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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