特許
J-GLOBAL ID：201303078903998200

基板の製造方法

発明者：
イ ヘヨン

イ ヘヨン について

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チェ ヨンジュン

チェ ヨンジュン について

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キム ジンホン

キム ジンホン について

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ジャン ヒョンス

ジャン ヒョンス について

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オ ヘコン

オ ヘコン について

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ファン ヒョンヒ

ファン ヒョンヒ について


出願人/特許権者：
ルミジエヌテック カンパニー リミテッド

ルミジエヌテック カンパニー リミテッド について


代理人 (1件)： 特許業務法人前田特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-232668
公開番号（公開出願番号）：特開2013-089975
出願日： 2012年10月22日
公開日（公表日）： 2013年05月13日
要約：
【課題】基板の製造方法の提供。【解決手段】下地基板を反応炉内に搬入するステップと、下地基板の上にバッファー層を形成するステップと、バッファー層の上にセパレータ層を形成するステップと、セパレータ層の上に少なくとも二つの温度で半導体層を形成するステップと、下地基板を反応炉から搬出して自然冷却によってセパレータ層を中心に下地基板と半導体層を分離するステップとを含む基板の製造方法。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
下地基板を昇温させるステップと、 前記下地基板の上にバッファー層を形成するステップと、 前記バッファー層の上にセパレータ層を形成するステップと、 前記セパレータ層の上に少なくとも二つの温度で半導体層を形成するステップと、 前記下地基板を冷却して前記セパレータ層を中心に前記下地基板と前記半導体層を分離するステップと を含む基板の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/205
FI (1件)：
H01L21/205
Fターム (11件)：
5F045AA01 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB08 ,  5F045DA53 ,  5F045DQ08 ,  5F045HA03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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