基板処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大山浩明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-151650
公開番号（公開出願番号）：特開2013-021050
出願日： 2011年07月08日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
要約：

【課題】基板のエッジ領域に導入するエッジガスが基板のセンタ領域に拡散することを抑制する。【解決手段】基板のセンタ領域とその周りのエッジ領域に向けてガスを別々に供給するガス導入部を構成する上部電極200を設ける。上部電極はセンタガスのガス孔212を複数設けたセンタガス導入部204と,エッジガスのガス孔214を複数設けたエッジガス導入部206とを備え,エッジガス導入部のガス孔に連通するガス孔232が形成されたガス孔形成板230をエッジガス導入部の下面に取り付けることによって,エッジガス噴出口の垂直位置を調整できるようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

処理室内に配置された基板に対して所定のガスを供給して所定の処理を施す基板処理装置であって, 前記基板のセンタ領域とその周りのエッジ領域に向けて同種のガス又は異種のガスを別々に供給するガス導入部を設け, 前記ガス導入部は, 前記基板のセンタ領域に向けて供給するセンタガスのガス孔を複数設けたセンタガス導入部と, 前記センタガス導入部の周りを囲むように設けられ,前記基板のエッジ領域に向けて供給するエッジガスのガス孔を複数設けたエッジガス導入部と, 前記エッジガス導入部のガス孔を通って噴出されるエッジガス噴出口の水平位置又は垂直位置を調整するエッジガス噴出位置調整手段と, を備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 21/306 , C23C 16/455

FI (3件)：

H01L21/205 , H01L21/302 101B , C23C16/455

Fターム (25件)：

4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030KA02 , 4K030LA15 , 5F004AA01 , 5F004BA04 , 5F004BA06 , 5F004BA07 , 5F004BB28 , 5F004BC03 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F045AA08 , 5F045BB02 , 5F045EF05 , 5F045EF08 , 5F045EF10 , 5F045EH05 , 5F045EH07 , 5F045EH14

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体製造装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-115932 出願人：三菱電機株式会社
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-218655 出願人：富士通株式会社
特開平2-187018

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