特許

J-GLOBAL ID：201303081462531530

窒化物半導体基板の製造方法

発明者： 藤倉 序章
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (3件)： 油井 透 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-201491
公開番号（公開出願番号）：特開2013-060349
出願日： 2011年09月15日
公開日（公表日）： 2013年04月04日
要約：

【課題】窒化物半導体単結晶のスライス時の割れを低減でき、窒化物半導体基板の歩留を向上できる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】種結晶基板上に気相成長により窒化物半導体単結晶を成長する成長工程と、成長した前記窒化物半導体単結晶の外周面を研削する研削工程と、前記外周面が研削された前記窒化物半導体単結晶をスライスするスライス工程とを含む窒化物半導体基板の製造方法であって、前記研削工程における前記窒化物半導体単結晶の前記外周面の研削量が1.5mm以上である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

種結晶基板上に気相成長により窒化物半導体単結晶を成長する成長工程と、成長した前記窒化物半導体単結晶の外周面を研削する研削工程と、前記外周面が研削された前記窒化物半導体単結晶をスライスするスライス工程とを含む窒化物半導体基板の製造方法であって、 前記研削工程における前記窒化物半導体単結晶の前記外周面の研削量が1.5mm以上 であることを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/304

FI (4件)：

C30B33/00 ,  C30B29/38 D ,  H01L21/304 611B ,  H01L21/304 631

Fターム (17件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077FG12 ,  4G077FG13 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  5F057AA05 ,  5F057BA01 ,  5F057BB06 ,  5F057CA03 ,  5F057CA36 ,  5F057DA11 ,  5F057DA15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物半導体結晶の製造方法及び窒化物半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-006467   出願人：日立電線株式会社
• エピタキシャル成長用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-200638   出願人：日立電線株式会社
• シリコンウエハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-311423   出願人：シャープ株式会社