特許
J-GLOBAL ID：200903009173847648

窒化物半導体結晶の製造方法及び窒化物半導体基板の製造方法

発明者：
大島 祐一

大島 祐一 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-006467
公開番号（公開出願番号）：特開2005-200250
出願日： 2004年01月14日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
【課題】単結晶窒化物半導体基板を種結晶として用い、気相成長によって厚さ5mm以上の窒化物単結晶インゴットを製造するに際し、窒化物半導体単結晶インゴット側面へ多結晶付着や成長面最外周部における異常成長による歪やクラックの発生をなくすと共に、厚さの増大に伴う成長位置変化の結果として起こる結晶品質の不均一をなくす。【解決手段】気相成長による窒化物半導体単結晶インゴットの成長において、成長中の結晶の成長面外周および側面を覆うカバー16を設けることによって、結晶側面への他結晶の付着を防止するのと同時に、結晶回転軸を成長速度に合わせて後退させ、成長表面を炉内で常に一定の位置に維持する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
単結晶窒化物半導体基板を種結晶として用い、気相成長によって厚さ5mm以上の窒化物単結晶を製造する方法において、 成長結晶の成長面エッジ部分および側面部分を所定距離を置いて周囲からカバーで覆い、これによって成長面エッジ部分および側面の異常成長を防止しながら窒化物単結晶を成長することを特徴とする窒化物半導体結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B29/38 ,  C30B25/12 ,  C30B33/00
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/12 ,  C30B33/00
Fターム (8件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EG03 ,  4G077EH06 ,  4G077FG11 ,  4G077TF02 ,  4G077TJ02
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (9件)
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