特許

J-GLOBAL ID：201003031163518456

エピタキシャル成長用基板

発明者： 大島 祐一
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (3件)： 油井 透 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-200638
公開番号（公開出願番号）：特開2010-040696
出願日： 2008年08月04日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：

【課題】ピンセット等による基板のハンドリング位置を基板周縁部のごく限られた一部分に制限でき、もって基板ハンドリングに伴う汚染等の領域を大幅に抑制可能なエピタキシャル成長用基板を提供する。【解決手段】エピタキシャル成長用の基板1であって、エピタキシャル成長を行う基板1の表面1aとは反対の裏面1b側に、部分的に面取り部3がある。基板1の直径をx[mm]とするとき、基板1の裏面1b側に施した面取り部3の長さLが2mm以上0.15x[mm]以下がよい。また、基板1を平坦面P上に表面1aを上にして置いたとき、基板1と平坦面Pとの間にできる隙間の高さh1、奥行きd1が0.2mm以上がよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

エピタキシャル成長用の基板であって、エピタキシャル成長を行う前記基板の表面とは反対の裏面側に、部分的に面取り加工が施してあることを特徴とするエピタキシャル成長用基板。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/30 ,  C30B 33/00

FI (4件)：

H01L21/02 B ,  H01L21/205 ,  C23C16/30 ,  C30B33/00

Fターム (38件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077BB01 ,  4G077BE15 ,  4G077BE46 ,  4G077FG03 ,  4G077FG11 ,  4G077FG17 ,  4G077FG18 ,  4G077FH08 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4K030AA05 ,  4K030AA08 ,  4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA35 ,  4K030BA51 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA11 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB11 ,  5F045AB18 ,  5F045AD11 ,  5F045AE23 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB14

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体ウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-218099   出願人：日立電線株式会社
• 化合物半導体ウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-200100   出願人：日立電線株式会社
• 半導体ウエハ及びその表面、裏面判別方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-211958   出願人：日立電線株式会社
• 半導体ウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-185829   出願人：日立電線株式会社