特許
J-GLOBAL ID:201303081594218912
Cu-Co-Si系合金及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
アクシス国際特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-241260
公開番号(公開出願番号):特開2013-095976
出願日: 2011年11月02日
公開日(公表日): 2013年05月20日
要約:
【課題】 コネクタ、端子、リレー、スイッチ等の導電性ばね材として好適な、優れた強度、曲げ加工性を備えたCu-Co-Si系合金及びその製造方法を提供する。【解決手段】 0.5〜3.0質量%のCo及び0.1〜1.0質量%のSiを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、EBSD(Electron Back-Scatter Diffraction:電子後方散乱回折)測定を行い、結晶方位を解析したときに、Cube方位{0 0 1}<1 0 0>の面積率が5%以上、Brass方位{1 1 0}<1 1 2>の面積率が20%以下、Copper方位{1 1 2}<1 1 1>の面積率が20%以下であり、加工硬化指数が0.2以下であるCu-Co-Si系合金。【選択図】図1
請求項(抜粋):
0.5〜3.0質量%のCo及び0.1〜1.0質量%のSiを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、EBSD(Electron Back-Scatter Diffraction:電子後方散乱回折)測定を行い、結晶方位を解析したときに、Cube方位{0 0 1}<1 0 0>の面積率が5%以上、Brass方位{1 1 0}<1 1 2>の面積率が20%以下、Copper方位{1 1 2}<1 1 1>の面積率が20%以下であり、加工硬化指数が0.2以下であるCu-Co-Si系合金。
IPC (11件):
C22C 9/06
, C22C 9/10
, C22F 1/08
, H01B 1/02
, H01B 5/02
, H01B 13/00
, C22C 9/00
, C22C 9/01
, C22C 9/02
, C22C 9/04
, C22C 9/05
FI (11件):
C22C9/06
, C22C9/10
, C22F1/08 B
, H01B1/02 A
, H01B5/02 Z
, H01B13/00 Z
, C22C9/00
, C22C9/01
, C22C9/02
, C22C9/04
, C22C9/05
Fターム (19件):
5G301AA01
, 5G301AA03
, 5G301AA07
, 5G301AA08
, 5G301AA09
, 5G301AA12
, 5G301AA13
, 5G301AA14
, 5G301AA19
, 5G301AA20
, 5G301AA21
, 5G301AA23
, 5G301AA24
, 5G301AB01
, 5G301AB02
, 5G301AB05
, 5G301AD03
, 5G307CA04
, 5G307CA06
引用特許:
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