特許
J-GLOBAL ID:201303081594218912

Cu-Co-Si系合金及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): アクシス国際特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-241260
公開番号(公開出願番号):特開2013-095976
出願日: 2011年11月02日
公開日(公表日): 2013年05月20日
要約:
【課題】 コネクタ、端子、リレー、スイッチ等の導電性ばね材として好適な、優れた強度、曲げ加工性を備えたCu-Co-Si系合金及びその製造方法を提供する。【解決手段】 0.5〜3.0質量%のCo及び0.1〜1.0質量%のSiを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、EBSD(Electron Back-Scatter Diffraction:電子後方散乱回折)測定を行い、結晶方位を解析したときに、Cube方位{0 0 1}<1 0 0>の面積率が5%以上、Brass方位{1 1 0}<1 1 2>の面積率が20%以下、Copper方位{1 1 2}<1 1 1>の面積率が20%以下であり、加工硬化指数が0.2以下であるCu-Co-Si系合金。【選択図】図1
請求項(抜粋):
0.5〜3.0質量%のCo及び0.1〜1.0質量%のSiを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、EBSD(Electron Back-Scatter Diffraction:電子後方散乱回折)測定を行い、結晶方位を解析したときに、Cube方位{0 0 1}<1 0 0>の面積率が5%以上、Brass方位{1 1 0}<1 1 2>の面積率が20%以下、Copper方位{1 1 2}<1 1 1>の面積率が20%以下であり、加工硬化指数が0.2以下であるCu-Co-Si系合金。
IPC (11件):
C22C 9/06 ,  C22C 9/10 ,  C22F 1/08 ,  H01B 1/02 ,  H01B 5/02 ,  H01B 13/00 ,  C22C 9/00 ,  C22C 9/01 ,  C22C 9/02 ,  C22C 9/04 ,  C22C 9/05
FI (11件):
C22C9/06 ,  C22C9/10 ,  C22F1/08 B ,  H01B1/02 A ,  H01B5/02 Z ,  H01B13/00 Z ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05
Fターム (19件):
5G301AA01 ,  5G301AA03 ,  5G301AA07 ,  5G301AA08 ,  5G301AA09 ,  5G301AA12 ,  5G301AA13 ,  5G301AA14 ,  5G301AA19 ,  5G301AA20 ,  5G301AA21 ,  5G301AA23 ,  5G301AA24 ,  5G301AB01 ,  5G301AB02 ,  5G301AB05 ,  5G301AD03 ,  5G307CA04 ,  5G307CA06
引用特許:
審査官引用 (10件)
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