特許

J-GLOBAL ID：201303082051636095

半導体薄膜レーザ

発明者： 上岡 裕之 ,  石井 啓之 ,  馬渡 宏泰 ,  柴田 泰夫 ,  大橋 弘美 ,  西山 伸彦 ,  荒井 滋久 ,  渥美 裕樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (3件)： 光石 俊郎 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-025978
公開番号（公開出願番号）：特開2013-165095
出願日： 2012年02月09日
公開日（公表日）： 2013年08月22日
要約：

【課題】波長多重通信において、温度変化があっても信号光が隣接チャネルへシフトすることなく、正確な波長信号を取り出すことができる波長温度依存性低減型の半導体薄膜レーザを提供する。【解決手段】負の屈折率温度依存性を有するBCB樹脂層30を、このBCB樹脂層30に比較して高い屈折率を有し、且つ、正の屈折率温度依存性を有するSi導波路20とGaInAsP量子井戸43を有するInP半導体層40とによって基板積層方向に挟み込むようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

誘電体を、該誘電体に比較して高い屈折率を有する第一の半導体及び第二の半導体によって基板積層方向に挟み込んでなる構造を有するとともに、 前記第一の半導体又は前記第二の半導体が活性層を有し、 前記第一の半導体又は前記第二の半導体のうち少なくとも一方が正の屈折率温度依存性を有し、 且つ、前記誘電体が負の屈折率温度依存性を有する ことを特徴とする半導体薄膜レーザ。

IPC (1件)：

H01S 5/20

FI (1件)：

H01S5/20

Fターム (13件)：

5F173AA26 ,  5F173AA47 ,  5F173AB13 ,  5F173AB61 ,  5F173AG20 ,  5F173AG22 ,  5F173AH14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AQ02 ,  5F173AQ03 ,  5F173AR03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザー装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-058946   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• 量子ドットを有する半導体光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-246175   出願人：富士通株式会社