特許
J-GLOBAL ID：201303084453044227
堆積膜形成方法および堆積膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
渡辺 敬介
, 山口 芳広
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-067355
公開番号（公開出願番号）：特開2001-323380
特許番号：特許第4794741号
出願日： 2001年03月09日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の連続した真空容器内にプラズマを生起させ、帯状基板をその長手方向に連続的に移動させながら、該基板上に連続的に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、
放電容器の開口部を、堆積速度分布の測定に基づいて、基板幅方向における堆積膜厚のむらが減少するように形状を設定した開口調整板で開口調整して、成膜を行う堆積膜形成方法であって、
放電空間の前記帯状基板の搬送方向をX方向、
放電空間の前記帯状基板の面内で且つ搬送方向に垂直な方向をY方向、
放電空間内の帯状基板膜堆積面が通過する任意の点(xi,yj)において測定された前記帯状基板への膜の堆積速度をd(xi,yj)、
(但し、i=1,2,...,m、j=1,2,...,n、ここでm,nは共に3以上)
基板搬送速度をv、
理想的な堆積膜厚をδとした上で、
放電空間上のy=yjにおけるX方向での堆積速度分布を前記d(xi,yj)から二次曲線で近似し、下記(1)式を得、
dj(x,yj)=dj(vt,yj)=ajt2+bjt+cj (∵x=vt、tは時間) ...(1)
さらに、放電空間上のy=yjにおける堆積膜厚δj(x,yj)が前記δとなるように下記(2)式を得、
上記(1)式を(2)式に代入し、これを満たす点Aj(vtj1,yj),点Bj(vtj2,yj)を求め、
それぞれ3点以上の点Aj及びBjからそれぞれの近似曲線として下記(3)及び(4)式を得、
x=F1(y) ...(3)
x=F2(y) ...(4)
(3)式を満たす曲線および(4)式を満たす曲線が、それぞれ放電容器の開口部のX方向の両端部となるように設定し、放電容器の開口部を開口調整して帯状基板の堆積領域を制限することを特徴とする堆積膜形成方法。
IPC (2件)：
C23C 16/52 ( 200 6.01)
, H01L 31/04 ( 200 6.01)
C23C 16/52
, H01L 31/04 V
