特許
J-GLOBAL ID：201303084821772017

真空処理装置、真空処理方法及び記憶媒体

発明者：
古川 真司

古川 真司 について

, 
五味 淳

五味 淳 について

, 
宮下 哲也

宮下 哲也 について

, 
北田 亨

北田 亨 について

, 
中村 貫人

中村 貫人 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-125531
公開番号（公開出願番号）：特開2013-249517
出願日： 2012年05月31日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：
【課題】基板に対して金属酸化膜を成膜するにあたり、基板間で金属酸化膜の抵抗値を安定化させる処理装置及び処理方法を提供すること。【解決手段】プラズマスパッタ処理が可能な真空容器2内部に酸素を吸収する部材からなるターゲット31aと金属からなるターゲット31bを配置し、真空容器2内部に基板Sを搬入する。カバープレート43で基板Sを覆い、ターゲット31aをスパッタして真空容器2内部に成膜し、当該膜に真空容器2内部の酸素を吸着させる。そしてカバープレート43を基板S上から移動させ、ターゲット31bをスパッタし基板S上に金属膜を成膜する。再び基板S上に移動させたカバープレート43から酸素を必要量だけ供給し、金属膜を金属酸化膜にする。そしてターゲット31aをスパッタし真空容器2内部の酸素を吸着した上で、金属酸化膜が形成された基板Sを真空容器2内部から搬出する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空容器内の載置部上の基板に向くように配置されたターゲットを、プラズマ発生用のガスをプラズマ化して得たプラズマ中のイオンによりスパッタして基板上に金属膜を形成し、次いでこの金属膜を酸化する真空処理装置において、 酸素を吸着する性質を有する物質からなる第1のターゲットと、 金属からなる第2のターゲットと、 前記第1のターゲット及び第2のターゲットに電圧を印加する電源部と、 前記第1及び第2のターゲットの一方をスパッタしているときに当該一方のターゲットからの粒子が他方のターゲットに付着するのを防止するためのシャッターと、 前記第1のターゲットからの粒子が基板に付着するのを防止するために基板を覆う遮蔽位置と基板を覆う位置から退避した退避位置との間で移動自在な遮蔽部材と、 前記載置部上の基板に対して酸素を含むガスを供給するための酸素供給部と、 前記真空容器内に第1のターゲットの粒子を付着させるために、前記遮蔽部材を遮蔽位置に設定した状態で第1のターゲットにプラズマ発生用の電圧を供給して第1のターゲットをスパッタするステップと、次いで第1のターゲットに対する電圧供給を停止し、前記遮蔽部材を退避位置に設定した状態で、基板に金属膜を成膜するために、第2のターゲットにプラズマ発生用の電圧を供給して第2のターゲットをスパッタするステップと、続いて前記酸素供給部から酸素を含むガスを前記基板に供給するステップと、を実行するための制御部と、を備えたことを特徴とする真空処理装置。
IPC (4件)：
C23C 14/58 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12
FI (3件)：
C23C14/58 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/12
Fターム (25件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029CA05 ,  4K029DA04 ,  4K029DA12 ,  4K029DC03 ,  4K029DC16 ,  4K029FA09 ,  4K029GA00 ,  4M119AA08 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119JJ02 ,  4M119JJ03 ,  5F092AA11 ,  5F092AA15 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092CA02 ,  5F092CA13 ,  5F092GA05
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM