特許

J-GLOBAL ID：200903040937875670

トンネルバリア層およびその形成方法並びにMTJ素子およびその製造方法

発明者： 洪 成宗 ,  童 茹瑛
出願人/特許権者： マグアイシー テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-346048
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173843
出願日： 2006年12月22日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：

【課題】MTJ素子に適用して、抵抗変化率dR/Rを大きくできると共に面積抵抗RAを小さくすることが可能なトンネルバリア層およびその製造方法を提供する。【解決手段】ピンド層24上にDCスパッタリング法により厚み1.0〜1.3nmの第1マグネシウム(Mg)層を形成したのち、この第1マグネシウム層をラジカル酸化により酸化して第1酸化マグネシウム(MgO)層31を形成する。更に、磁場中でアニールすることにより第1酸化マグネシウム層31に(001)結晶配向性を持たせる。続いて、この第1酸化マグネシウム層31上に0.3〜0.5nmの第2マグネシウム(Mg)層を形成したのち、この第2マグネシウム層を自然酸化させて第2酸化マグネシウム(MgO)層32を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

DCスパッタリング法により、第1の厚みを有する第1マグネシウム(Mg)層を形成する工程と、 前記第1マグネシウム層をラジカル酸化により酸化して第1酸化マグネシウム(MgO)層を形成する工程と、 方向性を有する磁場中でアニールすることにより前記第1酸化マグネシウム層に(001)結晶配向性を持たせる工程と、 前記第1酸化マグネシウム層上に第2の厚みを有する第2マグネシウム層を形成する工程と、 前記第2マグネシウム層を自然酸化させて第2酸化マグネシウム(MgO)層としてトンネルバリア層を形成する工程と を含むことを特徴とするトンネルバリア層の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 43/12 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/316 ,  C23C 14/14

FI (4件)：

H01L43/12 ,  H01L43/08 Z ,  H01L21/316 P ,  C23C14/14 D

Fターム (32件)：

4K029BA02 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC34 ,  4K029EA01 ,  4K029GA02 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF73 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ04 ,  5F092AA02 ,  5F092AA11 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BC04 ,  5F092BC14 ,  5F092BC18 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE27 ,  5F092CA02 ,  5F092CA14 ,  5F092CA15 ,  5F092CA26

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第6,841,395号
  
• 米国特許第6,828,260号
  
• 米国特許第6,737,691号
  
• 米国特許第6,347,049号
  

審査官引用 (6件)

• 磁気抵抗効果素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-013220   出願人：松下電器産業株式会社
• 強磁性トンネル接合素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-170192   出願人：日本電気株式会社
• 磁気トンネル素子及びその製造方法、薄膜磁気ヘッド、磁気メモリ、並びに磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-070650   出願人：ソニー株式会社
• 磁気トンネル接合素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-202922   出願人：ヤマハ株式会社
• 磁気抵抗効果素子,磁気抵抗効果センサ及びそれらを利用した装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-264464   出願人：日本電気株式会社
• 磁気トンネル接合素子およびその製造方法ならびに磁気トンネル接合型ヘッドおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-352008   出願人：ティーディーケイ株式会社