特許
J-GLOBAL ID:200903077309413537

磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 羽切 正治 ,  笹川 拓 ,  小野 友彰 ,  仲村 圭代
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-034686
公開番号(公開出願番号):特開2007-266584
出願日: 2007年02月15日
公開日(公表日): 2007年10月11日
要約:
【課題】低RAでも高MR比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】 酸素や水などの酸化性ガスに対しゲッタ効果の大きい物質が前記MgO層を成膜する室内に設けられた構成部材(第1成膜室21内部の、成膜室内壁37、防着シールド36の内壁、仕切板22やシャッタなど)の表面に被着された成膜室内で前記MgO層を成膜するとによって、第1の強磁性層と第2の強磁性層との間にMgO(酸化マグネシウム)層を有する磁気抵抗効果素子を製造する。ゲッタ効果の大きい物質は、該物質の酸素ガス吸着エネルギーの値が145kcal/mol以上の物質であればよく、特に前記磁気抵抗効果素子を構成する物質としてのTa(タンタル)が好適である。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
第1の強磁性層と第2の強磁性層の間にMgO層を有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、 第1の強磁性層を形成する工程、MgO層を形成する工程及び第2の強磁性層を形成する工程をこの順に有し、 前記MgO層を形成する工程は、酸化性ガスに対するゲッタ効果がMgOより大きい物質が表面に被着された構成部材を有する成膜室内で行われること を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (8件):
H01L 43/12 ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/30
FI (7件):
H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11B5/39 ,  G01R33/06 R ,  H01F10/30
Fターム (42件):
2G017AD55 ,  2G017AD56 ,  2G017AD60 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  4M119AA17 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119DD03 ,  4M119DD06 ,  4M119DD07 ,  4M119DD08 ,  4M119DD09 ,  4M119JJ03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034DA04 ,  5D034DA07 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049DB14 ,  5F092AA02 ,  5F092AA11 ,  5F092AB02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092BB04 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC14 ,  5F092BC18 ,  5F092BC22 ,  5F092CA02
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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引用文献:
審査官引用 (2件)

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