特許
J-GLOBAL ID:201303085663129620
ポリスルホン組成物の製造方法及び成形体の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
棚井 澄雄
, ▲廣▼保 直純
, 荒 則彦
, 加藤 広之
, 五十嵐 光永
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-030514
公開番号(公開出願番号):特開2013-166849
出願日: 2012年02月15日
公開日(公表日): 2013年08月29日
要約:
【課題】機械的強度に優れ、半導電性を有する成形体の製造に好適なポリスルホン組成物と前記成形体の製造方法の提供。【解決手段】ポリスルホンと、下記(A)の要件を満たすナノ構造中空炭素材料とを含有するポリスルホン組成物の製造方法であって、前記ポリスルホン85〜99質量部と、前記ナノ構造中空炭素材料1〜15質量部とを、1000〜9000/秒のせん断速度で溶融混練する工程を有することを特徴とするポリスルホン組成物の製造方法;かかる製造方法でポリスルホン組成物を得、このポリスルホン組成物を成形することを特徴とする成形体の製造方法。(A)ナノ構造中空炭素材料が、炭素部及び中空部を有し、前記中空部の一部又は全体が前記炭素部により囲まれた構造を有する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
ポリスルホンと、下記(A)の要件を満たすナノ構造中空炭素材料とを含有するポリスルホン組成物の製造方法であって、
前記ポリスルホン85〜99質量部と、前記ナノ構造中空炭素材料1〜15質量部とを、1000〜9000/秒のせん断速度で溶融混練する工程を有することを特徴とするポリスルホン組成物の製造方法。
(A)ナノ構造中空炭素材料が、炭素部及び中空部を有し、前記中空部の一部又は全体が前記炭素部により囲まれた構造を有する。
IPC (3件):
C08L 81/06
, C08K 7/22
, C08J 3/20
FI (3件):
C08L81/06
, C08K7/22
, C08J3/20 B
Fターム (30件):
4F070AA58
, 4F070AC04
, 4F070AD03
, 4F070AE06
, 4F070FA03
, 4F070FC05
, 4G146AA11
, 4G146AC03A
, 4G146AD37
, 4G146BA12
, 4G146BA18
, 4G146BB04
, 4G146BB06
, 4G146BB22
, 4G146BC23
, 4G146BC34B
, 4G146BC37B
, 4G146BC44
, 4G146BC47
, 4G146CA02
, 4G146CA08
, 4G146CA11
, 4G146CA16
, 4G146CB29
, 4G146CB37
, 4J002CN031
, 4J002DA016
, 4J002FA096
, 4J002FD010
, 4J002FD106
引用特許: