特許

J-GLOBAL ID：201303086648301731

スピン偏極電子発生素子及びその製造方法

発明者： 金 秀光 ,  竹田 美和 ,  渕 真悟
出願人/特許権者： 国立大学法人名古屋大学
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-108186
公開番号（公開出願番号）：特開2013-235750
出願日： 2012年05月10日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：

【課題】スピン偏極度と外部量子効率の高いスピン偏極電子発生素子を実現すること。【解決手段】基板をGaPとし、バッファ層をAly Ga1-y As1-x Px とし、バッファ層の組成比x、yを、バッファ層の格子定数が、GaPの格子定数よりも大きく、バッファ層に面方向に圧縮歪みが発生し、バッファ層の結晶成長の初期において、分離した島状の結晶核が形成される範囲の値とした。これにより、バッファ層は平坦に結晶成長し、バッファ層上の歪み超格子層の各層の膜厚が面上、均一一様となり、表面は平坦となる。これにより、歪み超格子層の井戸層には、面内においきて、均一一様に圧縮応力が印加されるので、重い正孔バンドと軽い正孔バンドとが適正に分離する。したがって、スピン偏極度が向上すると共に、歪み超格子層の結晶性も良くなるので、偏極電子の外部量子効率が向上する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された歪み超格子層とを有するスピン偏極電子発生素子において、 前記バッファ層は、格子定数が前記基板の格子定数よりも大きく、面方向に圧縮歪みが発生し、結晶成長の初期において、分離した島状の結晶核が形成される組成比の化合物半導体としたことを特徴とするスピン偏極電子発生素子。

IPC (2件)：

H01J 1/34 ,  H01J 37/073

FI (2件)：

H01J1/34 C ,  H01J37/073

Fターム (4件)：

5C030CC02 ,  5C030CC10 ,  5C235AA17 ,  5C235CC01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体スピン偏極電子源
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-115221   出願人：日本電気株式会社
• スピン偏極電子発生素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-073929   出願人：国立大学法人名古屋大学, 学校法人大同学園, 大同特殊鋼株式会社