スピン偏極電子発生素子

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-073929
公開番号（公開出願番号）：特開2009-266809
出願日： 2009年03月25日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：

【課題】基板、バッファ層、歪み超格子層の材料選択の自由度を持たせた状態で、スピン偏極度と外部量子効率の高いスピン偏極電子発生素子を実現すること。【解決手段】基板と、バッファ層と、バッファ層上に形成された歪み超格子層とを有するスピン偏極電子発生素子において、基板とバッファ層との間に、バッファ層を構成する結晶の格子定数よりも大きな格子定数を有する結晶から成る中間層を介在させた。これにより、バッファ層には、引張歪みにより基板に垂直な方向へのクラックが発生し、モザイク状となる。この結果、バッファ層上に成長させる歪み超格子層には、斜め方向の滑り転位が伝播しないために、歪み超格子層の結晶性が改善される。この結果、励起される電子のスピン偏極度と偏極電子の外部量子効率が向上する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板と、バッファ層と、バッファ層上に形成された歪み超格子層とを有するスピン偏極電子発生素子において、前記基板と前記バッファ層との間に、前記バッファ層を構成する結晶の格子定数よりも大きな格子定数を有する結晶から成る中間層を介在させたことを特徴とするスピン偏極電子発生素子。

IPC (4件)：

H01J 37/073 , G21K 1/00 , H01J 37/28 , H01J 1/34

FI (4件)：

H01J37/073 , G21K1/00 E , H01J37/28 Z , H01J1/34 C

Fターム (5件)：

5C030CC02 , 5C030CC10 , 5C033UU10 , 5C235AA20 , 5C235CC04

引用特許：

審査官引用 (3件)

スピン偏極電子発生素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-060673 出願人：国立大学法人名古屋大学
偏極電子線発生素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-257983 出願人：大同特殊鋼株式会社
スピン偏極電子発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-084303 出願人：国立大学法人名古屋大学

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