特許
J-GLOBAL ID：201303086931770012

半導体装置、及びその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-006222
公開番号（公開出願番号）：特開2013-168644
出願日： 2013年01月17日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
要約：
【課題】作製工程を削減し、低コストで生産性の良いトランジスタを提供する。良好な電気特性を有する信頼性の高いトランジスタを提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。【解決手段】島状半導体層を形成するためのフォトリソグラフィ工程を省略し、ゲート電極(同一層で形成される配線等を含む)を形成するフォトリソグラフィ工程、ソース電極及びドレイン電極(同一層で形成される配線等を含む)を形成するフォトリソグラフィ工程の少なくとも2つのフォトリソグラフィ工程でトランジスタを形成する。電子ビーム露光を利用することで、ソース電極及びドレイン電極の間隔(チャネル長)が短いトランジスタを形成することが可能となる。例えば、チャネル長が50nm未満のトランジスタを実現することが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁層と、前記絶縁層上に形成された単一の酸化物半導体層と、 少なくとも第1のトランジスタと第2のトランジスタを有する半導体装置であって、 前記第1のトランジスタは、前記酸化物半導体層上に形成された第1のゲート絶縁層と、 前記第1のゲート絶縁層上に形成された第1のゲート電極と、 前記第1のゲート絶縁層上に形成され、前記第1のゲート電極の側面を覆う第1の側壁絶縁層と、 前記酸化物半導体層と前記第1の側壁絶縁層と接する第1のソース電極及び第1のドレイン電極と、を有し、 前記第2のトランジスタは、前記酸化物半導体層上に形成された第2のゲート絶縁層と、 前記第2のゲート絶縁層上に形成された第2のゲート電極と、 前記第2のゲート絶縁層上に形成され、前記第2のゲート電極の側面を覆う第2の側壁絶縁層と、 前記酸化物半導体層、前記第2の側壁絶縁層と接する第2のソース電極及び第2のドレイン電極と、を有し、 前記第1のトランジスタのチャネル形成領域と、 前記第2のトランジスタのチャネル形成領域は、 前記単一の酸化物半導体層の異なる領域に形成されることを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088
FI (10件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616T ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 441 ,  H01L27/10 671Z ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/08 102A
Fターム (132件)：
5F048AA01 ,  5F048AA09 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048BG06 ,  5F048BG11 ,  5F048CB02 ,  5F048CB03 ,  5F048CB04 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP30 ,  5F083ER01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA44 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F101BA01 ,  5F101BB02 ,  5F101BC20 ,  5F101BD02 ,  5F101BD23 ,  5F101BD30 ,  5F110AA02 ,  5F110AA04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF35 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HM02 ,  5F110HM14 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (6件)
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