電子装置、電子装置の素子分離方法、電子装置の製造方法、及び電子装置を備えた表示装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：渡辺敬介 , 山口芳広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-155920
公開番号（公開出願番号）：特開2012-019092
出願日： 2010年07月08日
公開日（公表日）： 2012年01月26日
要約：

【課題】半導体電子素子を含む電子装置の微細化、及び低コスト化を実現する。【解決手段】半導体膜を含む電子素子を複数備える電子装置であって、電子素子の素子間に素子分離領域が存在し、素子分離領域は、バンドギャップが1.95eV以上である半導体膜と、絶縁体膜と、素子分離電極と、を含み、素子分離電極は、絶縁体膜によって素子分離領域の半導体膜と隔てられ、電圧が印加されて素子分離領域の半導体膜を高抵抗化し、電子素子間を電気的に分離するための電極であることを特徴とする電子装置。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体膜を含む電子素子を複数備える電子装置であって、前記電子素子の素子間に素子分離領域が存在し、前記素子分離領域は、バンドギャップが1.95eV以上である半導体膜と、絶縁体膜と、素子分離電極と、を含み、前記素子分離電極は、前記絶縁体膜によって前記素子分離領域の半導体膜と隔てられ、電圧が印加されて前記素子分離領域の半導体膜を高抵抗化し、前記電子素子間を電気的に分離するための電極であることを特徴とする電子装置。

IPC (5件)：

H01L 21/76 , H01L 29/786 , G09F 9/30 , H01L 27/32 , G09F 9/35

FI (6件)：

H01L21/76 S , H01L29/78 621 , H01L29/78 618B , G09F9/30 338 , G09F9/30 365Z , G09F9/35

Fターム (48件)：

5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094AA53 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DB04 , 5C094FB01 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5C094JA20 , 5F032AC04 , 5F032CA05 , 5F032CA09 , 5F032CA14 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F110AA04 , 5F110AA16 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110HK07 , 5F110HK33 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN43 , 5F110NN44 , 5F110NN46 , 5F110NN63 , 5F110QQ08

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-137606 出願人：新日本製鐵株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-020221 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置及び半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-126893 出願人：三菱電機株式会社

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