表示装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小林保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-006570
公開番号（公開出願番号）：特開2008-175842
出願日： 2007年01月16日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：

【課題】画素の開口率の向上を図った表示装置の提供。【解決手段】基板上の画素領域に、透明酸化物層、絶縁膜、導電層が順次積層され、前記導電層はゲート信号線に接続される薄膜トランジスタのゲート電極を有し、前記透明酸化物層は少なくとも前記ゲート電極の直下のチャネル領域部を除いた他の領域が導電体化され、この導電体化された部分でソース信号線、このソース信号線に接続される前記薄膜トランジスタのソース領域部、画素電極、この画素電極に接続される前記薄膜トランジスタのドレイン領域部を構成している。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上の画素領域に、透明酸化物層、絶縁膜、導電層が順次積層され、前記導電層はゲート信号線に接続される薄膜トランジスタのゲート電極を有し、前記透明酸化物層は少なくとも前記ゲート電極の直下のチャネル領域部を除いた他の領域が導電体化され、この導電体化された部分でソース信号線、このソース信号線に接続される前記薄膜トランジスタのソース領域部、画素電極、この画素電極に接続される前記薄膜トランジスタのドレイン領域部を構成していることを特徴とする表示装置。

IPC (4件)：

G09F 9/30 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136

FI (5件)：

G09F9/30 338 , H01L29/78 616V , H01L29/78 618B , H01L29/78 612Z , G02F1/1368

Fターム (51件)：

2H092GA14 , 2H092HA04 , 2H092JA25 , 2H092JA29 , 2H092JA32 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JB14 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092KB24 , 2H092MA15 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092MA41 , 2H092NA07 , 2H092NA27 , 2H092NA28 , 2H092PA01 , 5C094AA10 , 5C094AA21 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094DA13 , 5C094DA15 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094GB10 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE07 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110GG01 , 5F110HJ30 , 5F110HK07 , 5F110HM12 , 5F110HM15 , 5F110HM19 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP16 , 5F110QQ01

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-348260 出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (7件)

薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-348260 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-110059 出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司, 大野英男
トランジスタ及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-000047 出願人：科学技術振興事業団

全件表示

前のページに戻る