特許
J-GLOBAL ID：201103061259760804

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-236650
公開番号（公開出願番号）：特開2011-171702
出願日： 2010年10月21日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：
【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置を提供する。【解決手段】第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第1のトランジスタ160と、第2のトランジスタ162と、を有し、第1のトランジスタ160は、半導体材料を含む基板に設けられ、第2のトランジスタ162は酸化物半導体層を含んで構成され、第1のトランジスタ160のゲート電極と、第2のトランジスタ162のソース・ドレイン電極とは、電気的に接続され、第1の配線と、第1のトランジスタ160のソース電極とは、電気的に接続され、第2の配線と、第1のトランジスタ160のドレイン電極とは、電気的に接続され、第3の配線と、第2のトランジスタ162のソース・ドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、第4の配線と、第2のトランジスタ162のゲート電極とは、電気的に接続される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の配線と、 第2の配線と、 第3の配線と、 第4の配線と、 第1のゲート電極、第1のソース電極、および第1のドレイン電極を有する第1のトランジスタと、 第2のゲート電極、第2のソース電極、および第2のドレイン電極を有する第2のトランジスタと、を有し、 前記第1のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、 前記第2のトランジスタは、酸化物半導体層を含んで構成され、 前記第1のゲート電極と、前記第2のソース電極または前記第2のドレイン電極の一方とは、電気的に接続され、 前記第1の配線と、前記第1のソース電極とは、電気的に接続され、 前記第2の配線と、前記第1のドレイン電極とは、電気的に接続され、 前記第3の配線と、前記第2のソース電極または前記第2のドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、 前記第4の配線と、前記第2のゲート電極とは、電気的に接続された半導体装置。
IPC (12件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/786 ,  C23C 14/08 ,  G11C 11/405 ,  H01L 27/00
FI (13件)：
H01L27/10 321 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/08 102E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618G ,  H01L29/78 613B ,  C23C14/08 ,  G11C11/34 352B ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/08 102H ,  H01L27/00 301A
Fターム (191件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DA08 ,  4K029DC33 ,  4K029DC34 ,  4K029FA04 ,  4K029GA00 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BC18 ,  5F048BD04 ,  5F048BD10 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG03 ,  5F048BG13 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F083AD02 ,  5F083AD10 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083AD70 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP56 ,  5F083ER02 ,  5F083ER13 ,  5F083ER21 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA28 ,  5F083HA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA11 ,  5F083LA01 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F101BA17 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB02 ,  5F101BB17 ,  5F101BB20 ,  5F101BC20 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD32 ,  5F101BD35 ,  5F101BE01 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF02 ,  5F101BF09 ,  5F101BH01 ,  5F101BH13 ,  5F101BH16 ,  5F110AA06 ,  5F110AA09 ,  5F110BB04 ,  5F110BB06 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK40 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL24 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN40 ,  5F110NN62 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5M024AA04 ,  5M024AA90 ,  5M024BB02 ,  5M024CC02 ,  5M024CC20 ,  5M024CC71 ,  5M024HH20 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP03 ,  5M024PP04 ,  5M024PP05 ,  5M024PP07 ,  5M024PP09 ,  5M024PP10
引用特許：
審査官引用 (5件)
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