特許
J-GLOBAL ID：201303087479384947

構造化されたシリコン電池アノード

発明者：
ビスウォル,シバニ,リサ

ビスウォル,シバニ,リサ について

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ウォン,マイケル,エス

ウォン,マイケル,エス について

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サカー,マドフリ

サカー,マドフリ について

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シンサボー,スティーブン,エル

シンサボー,スティーブン,エル について

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イサークソン,マーク,ジェイ

イサークソン,マーク,ジェイ について


出願人/特許権者：
ウィリアム マーシュ ライス ユニバーシティ

ウィリアム マーシュ ライス ユニバーシティ について

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ロッキード マーティン コーポレイション

ロッキード マーティン コーポレイション について


代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  大貫 進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-537080
公開番号（公開出願番号）：特表2013-509687
出願日： 2010年10月28日
公開日（公表日）： 2013年03月14日
要約：
電気化学エッチングおよびそれに続く不動態化剤処理での被覆によって、多孔質シリコンを製造する方法が提供される。被覆された多孔質シリコンは、アノードおよび電池を作成するために使用することができる。被覆された多孔質シリコンは、大量のリチウムと合金化し、少なくとも1000mAh/gの容量を有し、この性能を少なくとも60の充電/放電サイクルを通して保持する能力がある。具体的なpSi調合は、少なくとも60サイクルの間非常に高容量(3000mAh/g)を提供し、これはシリコンの理論値の80%である。第3のサイクル後のクーロン効率は、95〜99%である。最良の容量は、3400mAh/gを超え、最良のサイクル寿命は、240サイクルを超え、その容量およびサイクル寿命は、適用の必要に応じて変化させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被覆された多孔質シリコンを作成する方法であって、 (a)電気化学セル内のシリコンを、孔の深さ5〜100μmで直径10nmから10μmまでの孔を有する多孔質シリコンを生成するために、電流の下でエッチングすることと、 (b)少なくとも1nmの不動態化材料で前記多孔質シリコンを被覆することと、 を含み、 前記被覆された多孔質シリコンは、少なくとも50サイクルの間、少なくとも1000mAh/gの充電容量を有する、方法。
IPC (7件)：
H01M 4/38 ,  H01M 4/36 ,  H01M 4/134 ,  H01M 4/139 ,  H01M 4/66 ,  H01M 2/02 ,  H01M 10/058
FI (9件)：
H01M4/38 Z ,  H01M4/36 C ,  H01M4/02 105 ,  H01M4/02 112 ,  H01M4/66 A ,  H01M2/02 A ,  H01M2/02 C ,  H01M2/02 K ,  H01M10/00 115
Fターム (45件)：
5H011AA03 ,  5H017AA03 ,  5H017CC03 ,  5H017EE01 ,  5H017EE06 ,  5H029AJ03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AJ14 ,  5H029AK11 ,  5H029AL11 ,  5H029AM03 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029BJ13 ,  5H029CJ03 ,  5H029CJ22 ,  5H029CJ25 ,  5H029DJ07 ,  5H029DJ13 ,  5H029EJ01 ,  5H029EJ04 ,  5H029HJ04 ,  5H029HJ06 ,  5H029HJ17 ,  5H029HJ19 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050AA19 ,  5H050BA16 ,  5H050CA17 ,  5H050CB11 ,  5H050DA04 ,  5H050DA07 ,  5H050FA04 ,  5H050FA09 ,  5H050FA15 ,  5H050GA03 ,  5H050GA14 ,  5H050GA22 ,  5H050GA25 ,  5H050GA27 ,  5H050HA04 ,  5H050HA17 ,  5H050HA19 ,  5H050HA20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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