特許
J-GLOBAL ID:201303087889471782
電子デバイス、電子機器、ベース基板の製造方法および電子デバイスの製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
増田 達哉
, 朝比 一夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-089664
公開番号(公開出願番号):特開2013-219614
出願日: 2012年04月10日
公開日(公表日): 2013年10月24日
要約:
【課題】メタライズ層からの熱の逃げを抑制し、蓋部とベース基板との接合を確実に行うことのできる電子デバイスを提供すること。【解決手段】電子デバイス100は、パッケージ200と、パッケージ200の内部に形成された収納空間Sに収納された圧電素子300とを有する。パッケージ200は、圧電素子300が固定されたベース基板210と、圧電素子300を覆うように設けられたリッド220と、ベース基板210上に形成され、ベース基板210とリッド220とを接合する枠状のメタライズ層230と、ベース基板210に形成され、圧電素子300と電気的に接続された電極241、242、251〜254、261、262とを有し、メタライズ層230は、各電極241、242、251〜254、261、262とは絶縁されている。【選択図】図5
請求項(抜粋):
電子部品と、
前記電子部品が固定されているベース基板と、
前記ベース基板とともに内部空間を形成していて、前記内部空間に前記電子部品を収容している蓋部と、
前記ベース基板上に形成され、前記ベース基板と前記蓋部とを接合している枠状のメタライズ層と、
前記ベース基板に形成されている電極と、を備え、
前記メタライズ層と前記電極とは絶縁されていることを特徴とする電子デバイス。
IPC (5件):
H03H 9/02
, H03H 3/02
, H01L 41/18
, H01L 41/09
, H01L 41/22
FI (5件):
H03H9/02 A
, H03H3/02 C
, H01L41/18 101A
, H01L41/08 C
, H01L41/22 Z
Fターム (12件):
5J108BB02
, 5J108CC04
, 5J108DD02
, 5J108EE03
, 5J108EE07
, 5J108EE18
, 5J108GG03
, 5J108GG09
, 5J108GG15
, 5J108GG16
, 5J108KK04
, 5J108MM02
引用特許:
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