特許
J-GLOBAL ID:200903040309267670
圧電体用気密容器
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
脇 篤夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-302741
公開番号(公開出願番号):特開2000-134055
出願日: 1998年10月23日
公開日(公表日): 2000年05月12日
要約:
【要約】【課題】 機械的強度を損なうことなく、且つ、低コストで作製することができる圧電体用気密容器の提供。【解決手段】 気密容器の容器本体1を金属板11により形成すると共に、その表面に絶縁膜2を成膜し、さらにその絶縁膜2上に導電膜により接続電極3a,3b、接合面6、電極端子7a〜7dを成膜する。そして、接続電極3aと電極端子とを貫通孔を介して導電線路12aにより接続することで容器本体1をセラミックにより形成した場合と比較しても同等以上の気密性及び機械的強度を維持し、その薄型化を図るようにした。
請求項(抜粋):
容器本体と蓋体とを接合することにより、その内部に収納した圧電体を気密封止することができる圧電体用気密容器において、容器本体を金属板により形成し、前記金属板の表面に絶縁膜を成膜すると共に、前記絶縁膜上に接続電極用導電膜、封止用導電膜、電極端子用導電膜を成膜し、前記接続電極用導電膜と前記電極端子用導電膜とを、前記金属板に形成されている貫通孔を介して導電線路により接続するようにしたことを特徴とする圧電体用気密容器。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (8件):
5J108BB02
, 5J108EE03
, 5J108EE04
, 5J108EE07
, 5J108FF11
, 5J108GG03
, 5J108GG09
, 5J108GG15
引用特許:
審査官引用 (13件)
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特開昭59-085123
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金属ベース基板およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-240843
出願人:三菱電機株式会社
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特開昭63-204784
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画像形成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-039377
出願人:キヤノン株式会社
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半導体メモリ素子の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-323122
出願人:エルジーセミコンカンパニーリミテッド
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圧電素子収納用容器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-245831
出願人:京セラ株式会社
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特開昭59-085123
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特開昭63-204784
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弾性表面波素子実装回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-183253
出願人:松下電器産業株式会社
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特開昭63-102295
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特開平3-113907
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気密封着用パッケージ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-210640
出願人:株式会社フジ電科
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多層配線基板及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-025383
出願人:三菱電機株式会社
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