特許
J-GLOBAL ID：201303088498069994

金属膜パターン付き基体の製造方法、及びモールドの製造方法

発明者：
中川 勝

中川 勝 について

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永瀬 康一

永瀬 康一 について

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久保 祥一

久保 祥一 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-207444
公開番号（公開出願番号）：特開2013-067084
出願日： 2011年09月22日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：
【課題】パターン形状を良好に保ちつつ、モールドの表面に形成された凹凸パターンの凹部サイズよりもパターンサイズの小さい金属膜パターン付き基体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る金属膜パターン21の製造方法は、金属膜20、金属膜20上に光反応性接着層30、熱可塑性樹脂からなる疎水性高分子を主成分とするレジスト膜40がこの順に成膜され、モールド50の凹凸パターンをレジスト膜40に転写することによりレジスト膜パターン41を形成する。次いで、残渣処理後にレジスト膜パターン41を用いて、露出した金属膜20をウェットエッチングして金属膜パターンを形成する。そして、金属膜パターンのサイドエッチングを行うことによりモールド50の凹部のサイズよりも縮小されたパターンサイズの金属膜パターン21を得る。【選択図】図3G
請求項（抜粋）：
金属膜を基体上に形成する工程と、 前記金属膜上に光反応性接着層、熱可塑性樹脂からなる疎水性高分子を主成分とするレジスト膜をこの順に成膜し、かつ前記光反応性接着層の活性光線照射により、当該光反応性接着層と前記レジスト膜とを接着させる工程と、 前記レジスト膜に対して、モールドの表面に形成された凹凸パターンを転写することによりレジスト膜パターンを形成する工程と、 前記レジスト膜パターンに形成された凹凸パターンの凹部において、前記レジスト膜が除去されるように残渣処理を行う工程と、 前記レジスト膜パターンを用いて、露出した前記金属膜をウェットエッチングして金属膜パターンを形成する工程と、を備え、 前記金属膜パターンを形成する工程は、前記モールドの表面に形成された凹凸パターンの凹部サイズよりも平面視上、前記金属膜パターンが縮小サイズとなるように、前記モールドの凹凸パターンの凹部サイズと実質的に等倍の金属膜パターンを得るよりもウェットエッチング処理時間を長くし、当該金属膜パターンのサイドエッチングを行う工程が含まれている熱ナノインプリントリソグラフィ法による金属膜パターン付き基体の製造方法。
IPC (3件)：
B29C 33/38 ,  H01L 21/027 ,  B29C 59/02
FI (3件)：
B29C33/38 ,  H01L21/30 502D ,  B29C59/02 Z
Fターム (20件)：
4F202AJ02 ,  4F202CA19 ,  4F202CB29 ,  4F202CD12 ,  4F202CD24 ,  4F209AA12 ,  4F209AA23 ,  4F209AA23B ,  4F209AH33 ,  4F209AH73 ,  4F209AJ02 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC01 ,  4F209PC05 ,  4F209PN03 ,  4F209PN06 ,  5F146AA31 ,  5F146AA32 ,  5F146AA33
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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