データ記憶装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-095600
公開番号（公開出願番号）：特開2013-232273
出願日： 2013年04月30日
公開日（公表日）： 2013年11月14日
要約：

【課題】極低温基板に堆積させた薄膜を有したデータ記憶装置の磁気素子を提供する。【解決手段】極低温とした基板上に堆積された磁気シールド薄膜は、不要な応力異方性を低下させるように400°Cよりも高温の一次アニールを行うことで堆積層における応力を付加的調整される。不要な応力異方性の発生を最小限にすることにより、堆積された薄膜に発生する応力をほぼゼロにできる。堆積後のアニールにもかかわらず磁気特性を維持したままで最小の残留応力を有した磁気素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

極低温基板に堆積され、不要な応力異方性を低下させるよう一次アニール中に応力調整される薄膜を含む、データ記憶装置。

IPC (2件)：

G11B 5/31 , G11B 5/39

FI (3件)：

G11B5/31 Q , G11B5/39 , G11B5/31 A

Fターム (10件)：

5D033BA03 , 5D033BB21 , 5D033BB43 , 5D033CA04 , 5D033DA02 , 5D033DA31 , 5D034BB08 , 5D034BB12 , 5D034CA04 , 5D034DA07

引用特許：

審査官引用 (17件)

特開平4-246805
特開昭61-020311
磁気抵抗効果ヘッドの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-061466 出願人：株式会社東芝

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