半導体装置の作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-175793
公開番号（公開出願番号）：特開2013-012751
出願日： 2012年08月08日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
要約：

【課題】DCスパッタリング法を用いて、酸化ガリウム膜を成膜する成膜方法を提供することを課題の一つとする。トランジスタのゲート絶縁層などの絶縁層として、酸化ガリウム膜を用いる半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。【解決手段】酸化ガリウム(GaOxとも表記する)からなる酸化物ターゲットを用いて、DCスパッタリング法、またはDCパルススパッタ方式により絶縁膜を形成する。酸化物ターゲットは、GaOxからなり、Xが1.5未満、好ましくは0.01以上0.5以下、さらに好ましくは0.1以上0.2以下とする。この酸化物ターゲットは導電性を有し、酸素ガス雰囲気下、或いは、酸素ガスとアルゴンなどの希ガスとの混合雰囲気下でスパッタリングを行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、ゲート電極を形成し、前記ゲート電極上に、スパッタリング法によりゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に、前記ゲート電極と重なる酸化物半導体層を形成し、前記酸化物半導体層上に、スパッタリング法により絶縁層を形成し、前記絶縁層は、前記酸化物半導体層に接して形成され、前記ゲート絶縁層および前記絶縁層は、酸化ガリウムを含み、前記スパッタリング法は、酸化物ターゲットを用いて行い、前記スパッタリング法を行う電源としてDC電源を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (9件)：

H01L 21/316 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , C23C 14/08

FI (9件)：

H01L21/316 Y , H01L29/78 617T , H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , H01L29/78 617V , H01L27/10 321 , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , C23C14/08 J

Fターム (120件)：

4K029BA43 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC34 , 4K029FA09 , 5F058BB05 , 5F058BB10 , 5F058BC03 , 5F058BF12 , 5F058BF14 , 5F058BJ01 , 5F058BJ03 , 5F083AD10 , 5F083AD21 , 5F083AD49 , 5F083AD53 , 5F083AD69 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP56 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083ER02 , 5F083ER13 , 5F083ER21 , 5F083GA01 , 5F083GA06 , 5F083GA11 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083HA10 , 5F083JA02 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA53 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083LA11 , 5F083LA19 , 5F083NA01 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F083PR40 , 5F101BA17 , 5F101BA19 , 5F101BB02 , 5F101BB08 , 5F101BB20 , 5F101BD07 , 5F101BD30 , 5F101BD32 , 5F101BD35 , 5F101BD39 , 5F101BD40 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF02 , 5F101BF09 , 5F101BH16 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110EE31 , 5F110EE38 , 5F110FF01 , 5F110FF28 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HL24 , 5F110HL27 , 5F110HM02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN34 , 5F110NN40 , 5F110NN62 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN74 , 5F110QQ02 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (3件)

トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-299678 出願人：凸版印刷株式会社
アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-226698 出願人：キヤノン株式会社
ガリウム酸化物薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-063712 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション

審査官引用 (2件)

トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-299678 出願人：凸版印刷株式会社
アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-226698 出願人：キヤノン株式会社

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