高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松尾誠剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-063392
公開番号（公開出願番号）：特開2013-152237
出願日： 2013年03月26日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：

【課題】半田ボールからの離型性が良いこと」、「電気抵抗(接触抵抗及び素材抵抗)が低いこと」、「耐食性が高く接触抵抗が安定していること」、「母材の硬度が高いこと」及び「機械加工が容易であること」の5つの要求をすべて満たすことが可能なコンタクトピンを提供する。【解決手段】本発明の「高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン20」は、ピン先端部22を半田ボールに押し当てて用いるコンタクトピンであって、Si(ケイ素)の含有量が2〜5重量%の範囲内にあり、かつ、不純物としてのC(炭素)の含有量が0.03重量%以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたコンタクトピン本体30と、コンタクトピン本体30の表面に形成され、コンタクトピン本体30よりも高い導電率を有する貴金属めっき層32とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ピン先端部を半田ボールに押し当てて用いるコンタクトピンであって、 Si(ケイ素)の含有量が2〜5重量%の範囲内にあり、かつ、不純物としてのC(炭素)の含有量が0.03重量%以下である析出硬化型の高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼からなるコンタクトピン素材から製造されたコンタクトピン本体と、前記コンタクトピン本体の表面に形成され、前記コンタクトピン本体よりも高い導電率を有する貴金属めっき層とを備えることを特徴とする高ケイ素・極低炭素ステンレス鋼の表面に貴金属めっき層が形成されたハイブリッド構造を有するコンタクトピン。

IPC (3件)：

G01R 1/067 , C22C 38/00 , C22C 38/54

FI (4件)：

G01R1/067 J , G01R1/067 C , C22C38/00 302Z , C22C38/54

Fターム (8件)：

2G011AA04 , 2G011AA09 , 2G011AB01 , 2G011AB03 , 2G011AC14 , 2G011AC21 , 2G011AE03 , 2G011AE22

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-180769
導電性接触子および半導体検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-069254 出願人：パナソニック株式会社
時効硬化型ステンレス鋼の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-280035 出願人：日立金属株式会社

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