特許
J-GLOBAL ID：201303090189317759

半導体装置及びその製造方法

発明者：
加藤 武寛

加藤 武寛 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-146279
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016538
出願日： 2011年06月30日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
要約：
【課題】本発明は、保護膜の境界面での膜厚を厚くし、はんだが金属膜の下方に侵入し難い半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板10と、 該基板に積層された金属膜30と、 該金属膜に積層されたはんだ層40と、 前記基板に積層され、前記金属膜及び前記はんだ層に接するように形成されたポリイミドからなる保護膜50とを備え、 該保護膜は、前記金属膜と接する界面において、前記基板から離れるにつれて前記金属膜側に迫り出す形状を有することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 該基板に積層された金属膜と、 該金属膜に積層されたはんだ層と、 前記基板に積層され、前記金属膜及び前記はんだ層に接するように形成されたポリイミドからなる保護膜とを備え、 該保護膜は、前記金属膜と接する界面において、前記基板側から離れて表面側に接近するにつれて前記金属膜側に迫り出す形状を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/28 ,  H01L 23/532 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/336
FI (9件)：
H01L21/88 T ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/90 S ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 655Z ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658J ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 652Q
Fターム (23件)：
4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104EE06 ,  4M104EE12 ,  4M104EE18 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH14 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ35 ,  5F033RR22 ,  5F033TT03 ,  5F033VV07 ,  5F033XX00
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM