特許
J-GLOBAL ID：201303090657963922

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
坂田 淳一郎

坂田 淳一郎 について

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三宅 博之

三宅 博之 について

, 
桑原 秀明

桑原 秀明 について

, 
魚地 秀貴

魚地 秀貴 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-221050
公開番号（公開出願番号）：特開2013-051423
出願日： 2012年10月03日
公開日（公表日）： 2013年03月14日
要約：
【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部(画素部ともいう)とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ボトムコンタクト型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。多階調マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を用いることで、作製工程を簡略化できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、駆動回路と画素部とを有し、 前記駆動回路は、 前記基板上方の第1のゲート電極と、 前記第1のゲート電極上方の第1のゲート絶縁層と、 前記第1のゲート絶縁層上方の第1の酸化物半導体層と、 前記第1の酸化物半導体層上方の第1のソース電極層及び第1のドレイン電極層と、 前記第1のソース電極層及び前記第1のドレイン電極層上方の第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層上方の導電層と、を有し、 前記画素部は、 前記基板上方の第2のゲート電極と、 前記第2のゲート電極上方の第2のゲート絶縁層と、 前記第2のゲート絶縁層上方の第2のソース電極層及び第2のドレイン電極層と、 前記第2のゲート絶縁層上方の第2の酸化物半導体層と、 前記第2の酸化物半導体層上方の第2の絶縁層と、 前記第2の絶縁層上方の画素電極層と、を有し、 前記第2の酸化物半導体層は、前記第2のソース電極層及び前記第2のドレイン電極層と重なり、 前記第2のゲート電極層、前記第2のゲート絶縁層、前記第2のソース電極層、前記第2のドレイン電極層、前記第2の酸化物半導体層、前記第2の絶縁層、及び前記画素電極層は透光性を有し、 前記第1のソース電極層及び前記第1のドレイン電極層は、前記第2のソース電極層及び前記第2のドレイン電極層よりも低抵抗であることを特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 29/786 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  G02F 1/134 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/167 ,  G02F 1/17 ,  H01L 51/50 ,  G09F 9/30
FI (13件)：
H01L29/78 612B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 612C ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/08 102D ,  H01L27/08 102B ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G02F1/17 ,  H05B33/14 A ,  G09F9/30 338
Fターム (144件)：
2H092GA14 ,  2H092GA59 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092JB05 ,  2H092JB16 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB69 ,  2H092KA08 ,  2H092KA19 ,  2H092KA20 ,  2H092KB05 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA07 ,  2H092PA06 ,  2H092QA06 ,  2H092QA07 ,  2H092QA09 ,  2H092QA13 ,  2H092QA14 ,  2K101AA04 ,  2K101AA08 ,  2K101BA02 ,  2K101BA12 ,  2K101BB43 ,  2K101BC02 ,  2K101BD61 ,  2K101BD81 ,  2K101EC08 ,  2K101EC82 ,  2K101ED13 ,  2K101EE02 ,  2K101EG52 ,  2K101EG71 ,  2K101EH02 ,  2K101EH04 ,  2K101EH12 ,  2K101EH14 ,  2K101EH16 ,  2K101EJ11 ,  2K101EK35 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107CC35 ,  3K107CC36 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  3K107HH05 ,  5C094AA10 ,  5C094AA13 ,  5C094AA21 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094DA15 ,  5C094DB04 ,  5C094EA05 ,  5C094FB14 ,  5F048AA09 ,  5F048AB03 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB02 ,  5F048BB03 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BC18 ,  5F048BD01 ,  5F048BD02 ,  5F048BD10 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE07 ,  5F110EE23 ,  5F110EE30 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ02
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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