特許
J-GLOBAL ID：201303092452509709
ダイナミックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリのアレイ、およびDRAMデバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
久野 琢也
, 高橋 佳大
, 星 公弘
, 二宮 浩康
, 篠 良一
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082088
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330422
特許番号：特許第5175010号
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 上面を含む半導体領域と、
垂直方向に配向されたゲートを含むトランジスタと、
前記垂直方向に配向されたゲートと電気的に接続されたワード線とを有するダイナミックランダムアクセスメモリであって、
該ダイナミックランダムアクセスメモリは垂直方向に配列されたドレイン、ゲートおよびソースを有し、
前記ワード線は、半導体デバイス内に前記ゲートに接して埋め込まれ、
さらに、前記ワード線は、前記垂直方向に配向されたゲートとは異なっており、
後続層が前記ワード線および前記ゲートの上方に平坦にデポジットされている
ことを特徴とするダイナミックランダムアクセスメモリ。
IPC (2件)：
H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
H01L 27/10 671 A
, H01L 27/10 625 A
, H01L 27/10 681 A
