特許

J-GLOBAL ID：201303092849785508

フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法

発明者： 堀 雅史 ,  切通 優子
出願人/特許権者： JSR株式会社
代理人 (8件)： 天野 一規 ,  池田 義典 ,  小川 博生 ,  石田 耕治 ,  各務 幸樹 ,  根木 義明 ,  新庄 孝 ,  川端 和也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-215291
公開番号（公開出願番号）：特開2013-083972
出願日： 2012年09月27日
公開日（公表日）： 2013年05月09日
要約：

【課題】MEEF、DOF及び解像性に優れるフォトレジスト組成物、並びにこのフォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。【解決手段】[A]側鎖にスルホラクトン環を有するノルボルナン環を有する(メタ)アクリレート単位(I)、単環の脂環式基を有する酸解離性基を含む構造単位(II)及びラクトン基を含む構造単位(III)を有する重合体、並びに[B]感放射線性酸発生体、を含有するフォトレジスト組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

[A]下記式(1)で表される構造単位(I)、単環の脂環式基を有する酸解離性基を含む構造単位(II)及びラクトン基を含む構造単位(III)を有する重合体、並びに [B]感放射線性酸発生体、 を含有するフォトレジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  C08F 20/38 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/004 501 ,  C08F20/38 ,  H01L21/30 502R

Fターム (49件)：

2H125AF17P ,  2H125AF38P ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AL11 ,  2H125AN11P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN51P ,  2H125AN54P ,  2H125AN82P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC03R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100BC84P ,  4J100BC84Q ,  4J100BC84R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100GC25 ,  4J100GC35 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (5件)

• レジスト組成物及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-239642   出願人：住友化学株式会社
• レジスト組成物及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-239634   出願人：住友化学株式会社
• ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-057168   出願人：東京応化工業株式会社
• 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-146859   出願人：富士フイルム株式会社
• レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-088169   出願人：東京応化工業株式会社