半導体素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山川政樹 , 山川茂樹 , 小池勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-037033
公開番号（公開出願番号）：特開2013-172125
出願日： 2012年02月23日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
要約：

【課題】寄生抵抗が低減されたダイオード構造が形成できるようにする。【解決手段】n型とされた窒化物半導体から構成されて主表面がC面方向とされている第1半導体層101と、第1半導体層101とは格子定数が異なる窒化物半導体から構成され、主表面がC面方向とされて第1半導体層101の上に形成された臨界膜厚以下の第2半導体層102と、第2半導体層102とは格子定数が異なる窒化物半導体から構成されて第1半導体層101より低濃度のp型とされたバッファ層(第3半導体層)103とを備える。各半導体層は主表面がIII族極性とされている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型とされた窒化物半導体から構成されて主表面がC面方向とされている第1半導体層と、前記第1半導体層とは格子定数が異なる窒化物半導体から構成され、主表面がC面方向とされて前記第1半導体層の上に形成された第2半導体層と、前記第2半導体層とは格子定数が異なる窒化物半導体から構成され、前記第1半導体層より低濃度のp型とされて前記第2半導体層の上に形成された第3半導体層とを少なくとも備え、前記第2半導体層は、臨界膜厚より薄く形成され、前記第1半導体層と前記第2半導体層との格子定数の大小関係と、前記第3半導体層と前記第2半導体層との格子定数の大小関係とは同じとされていることを特徴とする半導体素子。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (3件)：

5F151AA08 , 5F151CB12 , 5F151DA20

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-137004 出願人：日本電信電話株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-233240 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-091268 出願人：日本電信電話株式会社

前のページに戻る