特許
J-GLOBAL ID:201303094154834985

多層配線基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-080081
公開番号(公開出願番号):特開2013-211387
出願日: 2012年03月30日
公開日(公表日): 2013年10月10日
要約:
【課題】コアレス工法におけるダミーコア分離後の製品基板の反りを抑制可能なことにより、生産性に優れる多層配線基板を提供する。【解決手段】ダミーコアと、ダミーコア上に配置した製品基板の銅箔Aと、絶縁層上に配置した銅箔Bと、前記絶縁層及び銅箔Bを貫通して形成したビア内に形成した下地めっき及びフィルドめっきを有する導体層Cとを有し、前記銅箔Aと導体C層の厚みが同等である多層配線基板。また、上記において銅箔Aと銅箔Bの厚みが同等である多層配線基板。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ダミーコアと、ダミーコア上に配置した製品基板の銅箔Aと、 絶縁層上に配置した銅箔Bと前記絶縁層及び銅箔Bを貫通して形成したビア内に形成した下地めっき及びフィルドめっきとを有する導体層Cと、を有し、 前記銅箔Aと導体層Cの厚みが同等である多層配線基板。
IPC (1件):
H05K 3/46
FI (3件):
H05K3/46 Z ,  H05K3/46 B ,  H05K3/46 N
Fターム (13件):
5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA43 ,  5E346CC08 ,  5E346DD12 ,  5E346EE31 ,  5E346FF13 ,  5E346FF14 ,  5E346GG17 ,  5E346GG26 ,  5E346GG28 ,  5E346HH11 ,  5E346HH33
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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