特許
J-GLOBAL ID：201303094974533289
イオンビーム微細加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
梶 良之
, 須原 誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-238972
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051488
特許番号：特許第4803513号
出願日： 2001年08月07日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 単体のGaAs及びInP基板を含む、GaxIn1-xAsyP1-y(0≦x、y≦1)層表面に、任意のイオンビーム径、イオン電流密度に制御したGaイオンを注入し、前記GaxIn1-xAsyP1-y層表面に形成されている表面酸化膜の存在又は酸素分子照射のもとでのGaイオン打ち込みにより酸化層を選択的にGa2O3に置換又は生成させた後、前記GaxIn1-xAsyP1-y層表面を臭素化物により一原子層単位でドライエッチングし、前記Ga2O3に置換した部分以外の前記表面酸化膜及びGaxIn1-xAsyP1-y基板を除去するネガ型リソグラフィを可能にするイオンビーム微細加工方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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