特許
J-GLOBAL ID：201303095072136070
酸化物半導体薄膜層を有する積層構造、積層構造の製造方法、薄膜トランジスタ及び表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
渡辺 喜平
, 田中 有子
, 佐藤 猛
, 森島 なるみ
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-227211
公開番号（公開出願番号）：特開2013-016866
特許番号：特許第5186611号
出願日： 2012年10月12日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 薄膜トランジスタのチャネル層となる酸化物層と絶縁層からなる積層構造であって、
前記酸化物層を構成する材料は、結晶構造の70%以上が酸化インジウムのビックスバイト構造からなり、
前記酸化物層のキャリア濃度が1018/cm3以下、平均結晶粒径が1μm以上であり、
前記酸化物層の結晶が、前記絶縁層の表面に柱状に配置していることを特徴とする積層構造。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 Z
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 618 C
