特許

J-GLOBAL ID：201303095237065521

周期的な酸化およびエッチングのための装置と方法

発明者： ガングリー, ウダヤン ,  ラニッシュ, ジョゼフ, エム. ,  ハンター, アーロン, エム. ,  タン, チン ,  オルセン, クリストファー, エス. ,  スコットニー-キャッスル, マシュー, ディー. ,  グエン, ヴィッキー ,  スリニバサン, スワミナタン ,  スウェンバーグ,ヨハネス, エフ. ,  ワン, アンチュアン ,  イングル, ニティン, ケー. ,  ヘムカー, マニッシュ ,  マリン, ノゼ, エー.
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 園田 吉隆 ,  小林 義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-557249
公開番号（公開出願番号）：特表2013-522883
出願日： 2011年03月10日
公開日（公表日）： 2013年06月13日
要約：

狭ピッチの適用分野に適した半導体デバイスを製造する装置およびその製造方法が、本明細書に記載されている。材料層の表面を酸化させて酸化物層を形成し;エッチングプロセスによって酸化物層の少なくとも一部を除去し;材料層が所望の形状に形成されるまで、酸化および除去のプロセスを周期的に繰り返すことによって、材料層を形成および/または成形するように構成された様々な単一のチャンバが開示されている。いくつかの実施形態では、材料層は、半導体デバイスの浮遊ゲートとすることができる。

請求項（抜粋）：

材料層上で周期的な酸化およびエッチングプロセスを実行する装置であって、 内部に処理領域を画定する複数の壁を有し、前記処理領域内に材料層を有する基板を保持する基板支持体を含むチャンバ本体を有する処理チャンバと、 前記チャンバ本体の上面上に配置されたリッドアセンブリであって、間にプラズマ空胴を画定する第1の電極および第2の電極を備え、前記第2の電極が加熱されて前記基板を加熱するように適合されているリッドアセンブリと、 前記処理チャンバおよびリッドアセンブリの少なくとも1つと流体を連通させて、酸素含有ガス、不活性ガス、およびエッチングガスを前記処理チャンバおよび前記リッドの1つ内へ供給する酸素含有ガス供給、不活性ガス供給、およびエッチングガス供給と、 前記チャンバ内の前記基板を約100°Cを上回る第1の温度まで加熱する加熱システムと、 前記チャンバ内の前記基板を前記第1の温度未満の第2の温度まで冷却する冷却システムと、 前記第1の温度と前記第2の温度との間で前記チャンバ内の前記基板を循環させる制御システムと を備える装置。

IPC (6件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L21/302 105B ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371

Fターム (61件)：

5F004BA03 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BC03 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DA20 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004EA28 ,  5F004EB02 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP44 ,  5F083EP53 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083ER22 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA01 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083NA01 ,  5F083NA06 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR12 ,  5F083PR13 ,  5F083PR15 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F101BA26 ,  5F101BA29 ,  5F101BA35 ,  5F101BA36 ,  5F101BB02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BD40 ,  5F101BE07 ,  5F101BH03 ,  5F101BH05 ,  5F101BH14 ,  5F101BH15 ,  5F101BH16

引用特許：

出願人引用 (2件)

• ライン製造のフロントエンドのためのインサイチュドライクリーンチャンバ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-054443   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-111143   出願人：エルピーダメモリ株式会社

審査官引用 (4件)

• ライン製造のフロントエンドのためのインサイチュドライクリーンチャンバ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-054443   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• シリコンウエーハの製造方法およびこれにより製造されたシリコンウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-341876   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-257457   出願人：株式会社東芝
• エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-111143   出願人：エルピーダメモリ株式会社