特許
J-GLOBAL ID：200903070197385310

エッチング方法

発明者：
大内 雅彦

大内 雅彦 について


出願人/特許権者：
エルピーダメモリ株式会社

エルピーダメモリ株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-111143
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309108
出願日： 2002年04月12日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：
【要約】【課題】ドライプロセスにおいてもエッチングマスクのパターンの間口を広くすることができるエッチング方法を提供すること。【解決手段】少なくとも表面にシリコン及びシリコン窒化膜が露出する半導体基板のエッチング方法において、O2ガスを反応ガスとしてプラズマ放電により励起された活性種を前記半導体基板に吹き付けることにより前記シリコン及び前記シリコン窒化膜を露出面から所定膜厚に酸化する酸化工程と、前記酸化工程により酸化された前記半導体基板を少なくともO2ガス及びCH2F2ガスを含む反応ガスを用いてプラズマエッチングするエッチング工程と、を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面にシリコン及びシリコン窒化膜が露出する半導体基板のエッチング方法において、O2ガスを反応ガスとしてプラズマ放電により励起された活性種を前記半導体基板に吹き付けることにより前記シリコン及び前記シリコン窒化膜を露出面から所定膜厚に酸化する酸化工程と、前記酸化工程により酸化された前記半導体基板を少なくともO2ガス及びCH2F2ガスを含む反応ガスを用いてプラズマエッチングするエッチング工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/76
FI (2件)：
H01L 21/302 105 A ,  H01L 21/76 L
Fターム (26件)：
5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004DA15 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EB04 ,  5F004EB05 ,  5F004FA01 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA66 ,  5F032AA77 ,  5F032DA02 ,  5F032DA03 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA26 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA78
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (1件)

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