特許
J-GLOBAL ID：200903056929033290

シリコンウエーハの製造方法およびこれにより製造されたシリコンウエーハ

発明者：
江原 幸治

江原 幸治 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-341876
公開番号（公開出願番号）：特開2008-028355
出願日： 2006年12月19日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：
【課題】表面から一定の深さまで結晶欠陥の発生がないDZ層を均一に形成し、かつウエーハ内部には急峻なプロファイルを有する酸素析出物を高精度に確保・制御することのできるシリコンウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】表層に無欠陥領域を有するシリコンウエーハの製造方法であって、少なくとも、被処理シリコンウエーハの表面から所定深さの表層領域のみを1100°C以上の温度で0.01msec以上1sec以下の熱処理を行って表層を無欠陥化するシリコンウエーハの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表層に無欠陥領域を有するシリコンウエーハの製造方法であって、少なくとも、被処理シリコンウエーハの表面から所定深さの表層領域のみを1100°C以上の温度で0.01msec以上1sec以下の熱処理を行って表層を無欠陥化することを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/322 ,  C30B 33/02
FI (2件)：
H01L21/322 Y ,  C30B33/02
Fターム (11件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  4G077FE02 ,  4G077FE11 ,  4G077FE16 ,  4G077FG12 ,  4G077GA01 ,  4G077HA12
引用特許：
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (10件)
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