特許
J-GLOBAL ID：201303096232036872

SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにSiCエピタキシャルウェハの製造装置

発明者：
影島 慶明

影島 慶明 について

, 
武藤 大祐

武藤 大祐 について

, 
百瀬 賢治

百瀬 賢治 について

, 
宮坂 佳彦

宮坂 佳彦 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-157918
公開番号（公開出願番号）：特開2013-023399
出願日： 2011年07月19日
公開日（公表日）： 2013年02月04日
要約：
【課題】チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が低いSiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにSiCエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。【解決手段】本発明のSiCエピタキシャルウェハは、オフ角を有するSiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル層を有するSiCエピタキシャルウェハであって、前記SiCエピタキシャル層に存在する、チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が0.5個/cm2以下であることを特徴とする。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
オフ角を有するSiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル層を有するSiCエピタキシャルウェハであって、前記SiCエピタキシャル層に存在する、チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が0.5個/cm2以下であることを特徴とするSiCエピタキシャルウェハ。
IPC (4件)：
C30B 29/36 ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B29/36 A ,  C30B25/20 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205
Fターム (56件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB09 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EG03 ,  4G077EG18 ,  4G077EG25 ,  4G077GA02 ,  4G077GA06 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA11 ,  4G077TA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TC01 ,  4G077TD03 ,  4G077TE05 ,  4G077TF04 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030GA09 ,  4K030KA02 ,  4K030KA12 ,  4K030KA23 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045EB02 ,  5F045EF02 ,  5F045EF13 ,  5F045EM10
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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