特許
J-GLOBAL ID：201303096714103178

金属薄膜のCVD/ALDに有用なアンチモンおよびゲルマニウム錯体

発明者：
ハンクス,ウィリアム

ハンクス,ウィリアム について

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チェン,チャンニュ

チェン,チャンニュ について

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スー,チョンユィン

スー,チョンユィン について

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ローダー,ジェフリー,エフ.

ローダー,ジェフリー,エフ. について

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バウム,トーマス,エイチ.

バウム,トーマス,エイチ. について

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ペトルスカ,メリッサ,エー.

ペトルスカ,メリッサ,エー. について

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ステンダー,マティアス

ステンダー,マティアス について

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チェン,フィリップ,エス.エイチ.

チェン,フィリップ,エス.エイチ. について

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シュタウ,グレゴリー,ティー.

シュタウ,グレゴリー,ティー. について

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ヘンドリックス,ブライアン,シー.

ヘンドリックス,ブライアン,シー. について


出願人/特許権者：
アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド

アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-042917
公開番号（公開出願番号）：特開2013-144851
出願日： 2013年03月05日
公開日（公表日）： 2013年07月25日
要約：
【課題】アンチモンおよびゲルマニウム錯体、該錯体を含む組成物を使用して金属膜を基板上に堆積させるための方法、ならびに該前駆体を使用して製造される膜およびマイクロ電子デバイス製品、さらに対応する製造方法を提供する。【解決手段】ゲルマニウムアミジネート前駆体蒸気にマイクロ電子デバイス基板を含む基板を接触させるステップを含み、マイクロ電子デバイス基板上に、相変化メモリデバイスセルを形成することを含む、ゲルマニウムを基板上に堆積させる方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
式(A)、(B)、(C)、(D)、および(E)(I)〜(E)(XVI): Sb(NR1R2)(R3N(CR5R6)mNR4) (A) (式中、 R1、R2、R3、およびR4は、互いに同じであっても異なっていてもよく、C1〜C6アルキル、C3〜C6シクロアルキル、C2〜C6アルケニル(例えばビニル、アリル等)、C3〜C6アルキルシリル、C6〜C10アリールから独立して選択され、 R5およびR6のそれぞれは、互いに同じであっても異なっていてもよく、水素、C1〜C6アルキル、C3〜C6シクロアルキル、C2〜C6アルケニル(例えばビニル、アリル等)、C3〜C6アルキルシリル、およびC6〜C10アリールから独立して選択され、 mは1から4(これらを含む)までの整数である); Sb(R1)(R2N(CR4R5)mNR3) (B) (式中、 R1、R2、およびR3は、互いに同じであっても異なっていてもよく、C1〜C6アルキル、C3〜C6シクロアルキル、C2〜C6アルケニル(例えばビニル、アリル等)、C3〜C6アルキルシリル、およびC6〜C10アリールから独立して選択され、 R4およびR5のそれぞれは、互いに同じであっても異なっていてもよく、水素、C1〜C6アルキル、C3〜C6シクロアルキル、C2〜C6アルケニル(例えばビニル、アリル等)、C3〜C6アルキルシリル、およびC6〜C10アリールから独立して選択され、 mは1から4(これらを含む)までの整数である); Sb(R1)3-n(NR2R3)n (C) (式中、 R1、R2、およびR3は、互いに同じであっても異なっていてもよく、水素、C1〜C6アルキル、C3〜C6シクロアルキル、C2〜C6アルケニル(例えばビニル、アリル等)、シリル、C3〜C6アルキルシリル、C6〜C10アリール、および-NR4R5(式中、R4およびR5のそれぞれは、HおよびC1〜C4の中から選択される)から独立して選択され、 nは0から3(これらを含む)までの整数である); (R4)nSb(E(R1R2R3))3-n (D) (式中、 R1、R2、R3、およびR4は、互いに同じであっても異なっていてもよく、C1〜C6アルキル、C3〜C6シクロアルキル、C3〜C6アリルシリル、C6〜C10アリール、および式-NR5R6(式中、R5およびR6のそれぞれは、HおよびC1〜C4アルキルから独立して選択される)のアルキルアミノから独立して選択され、 Eはケイ素(Si)またはゲルマニウム(Ge)であり、 nは0から3(これらを含む)までの整数である); (E)下記式I〜XVIのゲルマニウム前駆体:
IPC (4件)：
C23C 16/18 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 21/365
FI (4件)：
C23C16/18 ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A ,  H01L21/365
Fターム (27件)：
4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA01 ,  4K030BA09 ,  4K030BA15 ,  4K030BA24 ,  4K030BB12 ,  4K030CA15 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030FA08 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB26 ,  5F045AC07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083PR21
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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