特許
J-GLOBAL ID：200903020953778277

ゲルマニウム前駆体、これを利用して形成されたGST薄膜、前記薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子

発明者：
徐 範錫

徐 範錫 について

, 
李 正賢

李 正賢 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-368548
公開番号（公開出願番号）：特開2006-182781
出願日： 2005年12月21日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：
【課題】ゲルマニウム前駆体、これを利用して形成されたGST薄膜、該薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子を提供する。【解決手段】ゲルマニウム、窒素及びシリコンを含有した低温蒸着用のゲルマニウム前駆体、これを利用して形成された窒素及びシリコンでドーピングされたGST薄膜、該薄膜の製造方法及び相変化メモリ素子である。これにより、低温蒸着用のゲルマニウム前駆体は、窒素及びシリコンを含有しているところ、薄膜、より具体的には、窒素及びシリコンでドーピングされたGST薄膜形成時に低温蒸着が可能である。特に、低温蒸着時、水素プラズマを利用できる。低温蒸着用のゲルマニウム前駆体を利用して形成された窒素及びシリコンでドーピングされたGST相変化膜は、減少したリセット電流を有するところ、これを備えたメモリ素子は、集積化が可能になり、高容量及び高速作動が可能である。【選択図】図7B
請求項（抜粋）：
ゲルマニウム(Ge)、窒素及びシリコンを含有した低温蒸着用のゲルマニウム前駆体。
IPC (5件)：
C07F 7/30 ,  H01L 45/00 ,  H01L 27/105 ,  C23C 16/30 ,  C07F 7/10
FI (5件)：
C07F7/30 D ,  H01L45/00 A ,  H01L27/10 448 ,  C23C16/30 ,  C07F7/10 F
Fターム (35件)：
4H049VN01 ,  4H049VN02 ,  4H049VP02 ,  4H049VQ02 ,  4H049VQ34 ,  4H049VQ39 ,  4H049VR23 ,  4H049VR51 ,  4H049VR54 ,  4H049VS02 ,  4H049VS12 ,  4H049VS34 ,  4H049VU24 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA01 ,  4K030BA09 ,  4K030BA15 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  4K030LA19 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA27 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR21
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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