特許
J-GLOBAL ID:201303096727088658
パターン形成方法、パターン形成装置及び半導体装置の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
日向寺 雅彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-034461
公開番号(公開出願番号):特開2013-171950
出願日: 2012年02月20日
公開日(公表日): 2013年09月02日
要約:
【課題】基板上の樹脂にテンプレートのパターンを接触させる際、テンプレートと基板との正確な間隔を維持すること。【解決手段】実施形態に係るパターン形成方法は、凹部及び凸部の少なくともいずれかの形状を有するパターンを含むテンプレートを用い、基板上の樹脂に前記パターンの形状を転写するパターン形成方法であって、前記基板上に前記樹脂を塗布する工程と、前記樹脂の一部である第1部分の硬さを、前記第1部分以外の部分である第2部分の硬さよりも硬くする工程と、前記テンプレートの前記パターン以外の部分を前記第1部分に接触させて前記テンプレートと前記樹脂との間隔を維持した状態で、前記第2部分に前記パターンの形状を転写し、前記樹脂を硬化させる工程と、を備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
凹部及び凸部の少なくともいずれかの形状を有するパターンを含むテンプレートを用い、前記パターンの形状を基板上の樹脂に転写するパターン形成方法であって、
前記基板上に前記樹脂を塗布する工程と、
前記樹脂の全面を半硬化させた後、前記樹脂の一部である第1部分のみを全硬化させる工程と、
前記テンプレートの前記パターン以外の部分を前記第1部分に接触させて押圧を行い、前記テンプレートに加わる反力を計測し、前記反力が予め定めた値に到達した場合に前記押圧を停止して前記テンプレートと前記基板との間隔を維持した状態で、前記第2部分に前記パターンの形状を転写し、前記樹脂を硬化させる工程と、
を備えたパターン形成方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L21/30 502D
, B29C59/02 Z
Fターム (25件):
4F209AA36
, 4F209AA44
, 4F209AD30
, 4F209AD32
, 4F209AF01
, 4F209AG05
, 4F209AH33
, 4F209AJ03
, 4F209AM27
, 4F209AM32
, 4F209AP06
, 4F209AR07
, 4F209PA02
, 4F209PA15
, 4F209PB01
, 4F209PC01
, 4F209PC05
, 4F209PH02
, 4F209PH03
, 4F209PH07
, 4F209PH10
, 4F209PN06
, 4F209PN09
, 4F209PQ11
, 5F146AA31
引用特許:
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